如何在电路中获得S参数 - 9个方法(下)
继续上期内容。
方法6：Tran任务+全端口
优点：时域信号，可用于时域调制等。
局限：复杂且参数多（频域->时域->频域）；仿真时间长且需要检查收敛；单端口网络激励（非完整S矩阵）；
激励一个端口高斯Signal：
仿真时长需要比较长，确保时域收敛，不然S参数有波动；这个和时域求解器原理一样。
Tran任务中可勾选S参数计算，仅高斯激励计算的S参数才有意义：
我们拿S参数任务的结果对比，可见大致相同，但不100%完全一致：
检查时域信号的收敛状况：
方法7：Tran任务+端口+探针
优点：更多时域分析场景，比如时域调制等；
局限：复杂且影响因素多（频域->时域->频域）；仿真时间长；单端口网络激励（非完整S矩阵）；
我们保留端口1激励高斯信号，然后利用探针获取局部的信号，以便计算局部的S参数。多添加一个简单电路端口2，也有信号，用来模拟复杂的Transient电路。
这样结果文件夹就不是FD了，而是Spectral Density了：
和上期AC一样，探针结果只有电压电流，没有Signal（根号瓦）。需要手动获取S参数，那就还有要用耦合器区分入射反射的问题。
我们将两个Tran任务的结果一起和S参数任务结果对比，可见两个Tran任务结果很一致，但是都和S参数差一丁点。这是因为，这两个Tran任务用的是一个宏模型，我都没改vector fitting的任何设置，也没用IdEM。
放大看细节：
方法8：Tran任务+IDEM
优势：更先进的频域和电路转换；检查频域数据的质量；
局限：更多IDEM操作和学习，
方法6和7中都可以将频域数据的宏模型用IDEM重新拟合生成，我们以方法7中的电路为例，点击模块：
选择IDEM：
IDEM 中我们当然可以检查频域数据的质量，可见我们的频域数据并不完美：
因为我们的目的是要和S参数任务结果一致，并不是研究该频域数据质量和保证宏模型的物理性，所以这类我们就用高阶高精度拟合，不用强制无源：
导出宏模型进入电路（Design Studio）：
还是Tran任务和手动计算S参数，与默认built-in宏建模相比，IdEM拟合的结果更加接近原始Spara任务结果：（但这不能说明原结果是对的，可能强制无源的模型才是质量更好一些）
当然仍有一点点差距，我们可以尝试增加时域时间提高收敛，或者再提高IdEM拟合精度等等。这些我们就不继续看了，总之，频域转时域再转频域不是一键容易的事，但是仍是一种计算S参数的方法。
方法9: Sweep任务+频谱线任务+电压源+探针+耦合器
优点：纯频域分析；可考虑谐波、调制等；探针获取局部S参数；无端口；
局限：操作较多；扫频计算较慢；
最后介绍一个特殊方法，扫频谱获得S参数。先定义频点参数，初始值不为零：
需要AC电压源和探针：
添加频谱线任务，谐波数量根据调制需求：
运行一次得到结果，添加后处理提取该频点的探针结果（幅值而已）：
三个探针结果：
然后添加参数扫描，将频谱任务连带后处理都拖入其中：
运行参数扫描，得到众多结果后，进入后处理PP1，计算S11和S21：
如果想重新扫描，可以将S11和S21这两个关掉（默认On（parametric）是用于扫参计算）。
这样就得到1D结果：S参数线性幅值。如果想和S参数任务的1DC结果相比，还需要提取1DC的幅值；如果比dB幅值或相位，就相应修改S11和S21的后处理计算式吧。
小结：
方法6：Tran任务+全端口
优点：时域信号，可用于时域调制等。
局限：复杂且参数多（频域->时域->频域）；仿真时间较长；需要检查收敛；全端口网络激励（完整S矩阵）；
方法7：Tran任务+端口+探针
优点：更多时域分析场景，比如时域调制等；
局限：复杂且影响因素多（频域->时域->频域）；仿真时间较长；需要检查收敛；单端口网络激励（非完整S矩阵）；
方法8：Tran任务+IDEM
优势：更多时域分析场景，比如时域调制等；更先进的频域和电路转换；检查频域数据的质量；
局限：更多IDEM操作和学习；复杂且影响因素多（频域->时域->频域）；仿真时间较长；需要检查收敛；单端口网络激励（非完整S矩阵）；
方法9: Sweep任务+频谱线任务+电压源+探针+耦合器
优点：纯频域分析；可考虑谐波、调制等；探针获取局部S参数；无端口；
局限：操作较多；扫频计算时间更长；不可计算DC。
