如何在Chip Interface中设置沉积共形？

作者 | Wang Yuanteng

我们在“如何使用Chip Interface导入GDSII文件？”中介绍过使用Process Queue模拟IC制造的步骤。其中沉积是其中非常重要的步骤，那么如何设置沉积共形呢？

下面我们以一个具体模型为例，介绍沉积共形的设置方法。

该例中，图中所示粉色部分为沉积层IMD6，厚度为3.6um，图中黄色部分为上一步生成的金属层metal6。此时，沉积层设置为默认设置，从图中可以看出并无共形。

参考帮助文档，其中对沉积共形设置做了明确解释：

沉积共形由3个厚度决定，分别是图中的thickness、sideThickness和topThickness。其中，topThickness的定义方式有两种，可以是参考到芯片上方的Absolute to Top of Chip，也可以是参考到整个沉积层的Relative to thickness。另外，如果未指定sideThickness，那么该值与thickness相同。同样的，如果topThickness没有指定的话，也被认为等于thickness。

了解清楚后，我们尝试一下修改沉积共形设置如下。将沉积层整体厚度改为0.5um，sidethickness为1um，topThickness为Absolute to Top of Chip 0.3um，也就是芯片上面高出0.3um。

生成沉积共形效果如下：

再来看对sideThickness和topThickness都没指定设置的情况，只设了thickness为1。

从下图可以看出，正如前文所说，sideThickness和topThickness均为1um，在金属线的周围是一个均匀厚度的1um共形。

搞清楚共形如何设置之后，我们就可以根据实际需要进行共形设置了。