二极管辐射发射（RE）问题分析调试与解决方案
来源：风陵渡口话EMC
更新时间：2024-07-20
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一、二极管辐射发射问题产生原因分析
1.1、.二极管反向恢复
二极管正向导通时，电子存储在P区，空穴存储在N区，此现象叫做电荷存储效应。外加反向电压时，电子和空穴分别往相反方向移动，形成反向漂移电流，同时与其他多数载流子复合，待电子和空穴明显减小后，反向恢复过程完成，二极管截至。
