11.4 HFSS阵列天线设计之边界条件和激励设置-HFSS电磁仿真设计应用详解

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11.4 HFSS阵列天线设计之边界条件和激励设置

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11.4.3 为阵元波导底面分配波端口激励

（1）按下快捷键 F，切换到面选择状态；单击 WaveGuide 的前表面靠近底面的位置，然后按下快捷键 Ctrl+B，选中WaveGuide 的底面。

（2）在三维模型窗口任意位置单击鼠标右键，从弹出菜单中选择【Assign Excitation】→ 【Wave Port】，打开“波端口激励设置”对话框，如图 11.16 所示。

图 11.16 设置波端口激励的操作

（3）在该对话框中，Name 项对应的文本框内输入波端口激励的名称 P1，其他项保持默认设置，一直单击按钮，直到完成。

11.4.4 为 AirBox 上表面分配 Floquet 端口激励

（1）单击 AirBox 的上表面，选中该表面。

（2）在三维模型窗口任意位置单击鼠标右键，从弹出菜单中选择【Assign Excitation】→ 【Floquet Port】，打开如图 11.17 所示的“Floquet 端口激励设置”对话框。

（3）Floquet 端口激励的名称保持默认名称不变；对话框中的 A、B 项分别用于设置阵元的排列方向，因为阵元分别沿着 x、y 方向排列，所以可以设置A 方向沿着 x 轴正向，B 方向沿着 y 轴正向。

（4）在对话框中，单击 A 项左侧的文本框，从其下拉列表中选择 New Vector…，进入定义 A 方向的状态；在 HFSS 用户界面底部状态栏 X、Y、Z 对应的文本框中分别输入0.05，0.05 和 2，单击回车键确定；然后在状态栏 dX、dY、dZ 对应的文本框中分别输入 0.5，0 和 0，再次单击回车键确认。这样即设置了 A 方向为沿着x 轴的正向。

图 11.17 “Floquet 端口激励设置”对话框之一

（5）和步骤（4）操作相同，设置 B 方向沿着 y 轴的正向。在对话框中，单击 B 项左侧的文本框，从其下拉列表中选择 New Vector…，进入定义 B 方向的状态；在 HFSS 用户界面底部状态栏 X、Y、Z 对应的文本框中分别输入0.05，0.05 和2，单击回车键确定；然后在状态栏 dX、dY、dZ 对应的文本框中分别输入 0，1 和 0，再次单击回车键确认。

（6）然后单击对话框的按钮，打开 Phase Delays 界面，设置Floquet 端口的扫描角。Floquet 端口扫描角的设置必须与主从边界上扫描角的设置一致，如图 11.18 所示。