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ADS中做功分器版图仿真时隔离电阻的定义

文章来源: 互联网    录入: mweda.com    点击数:

在做1分4微带型Wilkinson功分器版图仿真时，隔离度在-18db左右，除S11外反射系数在-13左右，S11有-30db，但插损和相位效果比较好，插损在-6.1--6.3间，不知是否是隔离电阻定义的不对，首先是100欧的隔离电阻在Momentum中仿真时是不是需要转换单位？也就是说TFR的阻值不是100 ？在有在Substrate中如何定义电阻所在的层？是不是与导体cond同层？resi层中电阻的值是不是也要换算？单位ohm/square与隔离电阻的100欧之间是什么关系？仿真时短口设置有没有特殊要求？问了老多问题请大家帮忙，多谢了！

微波EDA (www.mweda.com) 网友回复：

  • 网友回复

    谢谢哈
    看到这些，自己可以认真学习下~~

  • 网友回复

    首先回答第一个问题，如果是100欧姆的电阻，是要转换单位的，转换成欧姆每平方，要看你电阻加上去后没有和功分器相连的部分的面积，换算一下
    第二个问题，电阻不是放在cond层的，要在momentum中另外定义层，有几个电阻定义几个层，然后再与cond层strip一下
    最后的问题，端口设置没有啥要求
    以上回答不知道是否解答了你所有的疑问？

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，推荐学习李明洋老师的ADS培训视频，或咨询本站专家。

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