模拟下述文献仿真时遇到问题：半导体的耗尽层用什么介电模型来建模？有人说用真空，觉得不对，里面物质结构和真空不同啊。
是用什么软件仿真的？
用CST仿真,有懂的不？ 希望给点建议啊。
原始文献里用FDTD仿真，改用CST应该也可以的
注册账号 | 忘记密码
