Perfect H 对应那些实际情况？

“Perfect E ”对应理想导体边界
“Perfect H ”对应那些情况？
多谢前辈指点

理想磁边界即理想磁导体，用电磁场理论中的磁荷模型进行分析即磁荷可以在理想磁导体自由移动，理想磁导体中磁场为0，边界上可聚集面磁荷，面磁流，从而使磁场方向垂直于边界。电场方向与边界相切。

以上是引用的

估计铁氧体可以算理想磁导体了吧

呵呵，这些东西是理论的。在HFSS仿真中，它用在那些情况呢？

那就不知道了，我也是小菜 呵呵

真正学才几天

我也刚开始学习，有时候把HFSS中的东西和实际的对不上，呵呵

同感啊

在实际的物理模型中是没有理想磁壁的，可根据激励和结构的对称存在等效的理想磁壁

当结构对称,结构中的场分布也对称,而且对称面恰好为磁壁(磁场切向分量为0)时就可以只画一般模型,然后将对称面设为磁壁,以此减少计算时间.(fullbook里好象就是这么用的)
在实际模型中,好象还没见过可以看作磁壁的东西.

perfect E和perfect H 是理想导体边界条件和理想磁体边界条件，理想导体边界条件是边界面上切向电场为0，而理想磁体边界条件是边界上切向磁场为0，一般我们会用到理想导体边界条件，比如波导壁

比如说，一个矩形波导，考虑TE10mode，我们认为，上下都是perfect E，垂直上下面的，正中间的那个面不就是H面吗？quote 楼上的，“一般我们会用到理想导体边界条件，比如波导壁” 很多情况我们都可以用perfect H面的，最简单的情况： 当你在simulate一个矩形waveguide的时候，为了节省时间，你可以只simulate半个，而半个的边界条件就不同于整个了，其中就有一个H面。 总之：就是那个面E最大，H为0的那个面，你就可以设成perfect H.