为何近场增益如此之高？？？

我做的是平面螺旋电感的仿真，方形总共6圈，选用Driven modal模式，则其LumpPort默认输入功率1W，以小环天线理论分析，其近场辐射应该为零，但没想到仿真结果其增益如此之大，请教下老手，问题出在哪里？？

对了，中心频率为50MHz，线宽0.4mm，线间距也为0.4mm

最好能把模型传上来，结果图对分析问题帮助有限

已经上传了。都在压缩包里

不知道你的近场增益的定义是从何而来？
据本人的理解，天线中没有近场增益的概念，增益的定义是在相同输入功率条件下目标天线与参考天线（全向天线或者理想偶极子）辐射远场的比值，与距离无关，仅与方向有关，因为远场是exp(jkr)/r规律变化；而近场由于随距离变化不是那么简单，还含有1/r^2高次因子，按照增益定义得到的是一个与距离有关的量，因此没有实际意义。
一句话，你画的所谓近场增益只是近场（HFSS给出的是绝对近场），就是给定入射功率情况下的近场分布。从你给的结果来看，在60v/m左右，我认为这是合理的数量级。具体大小取决于端口匹配、所求近场点的位置。你采用的是lumped端口，50欧？能确认端口匹配良好吗？也会影响nearE的具体大小。
这个结论成立吗？你有充分的证据吗？
根据电偶极子的近场表达式（参考天线理论与设计，第二版，Warren L Stutzman，朱守正等译，p20， 1－71a/b式）：

（小环天线（磁偶极子）互易定理，电磁场互调）。可以看出仅在轴线上（theta=0、pi），磁偶极子的电场为零（a式），在其他方向上不为零。
按照上述公式，确实在轴向上E应该＝0。这个问题确实值得探讨。
我认为非零值的产生可能是对于平面螺旋天线，不能等效为理想小环天线，比如附加结构（如地板、馈电结构）在轴向上产生了非零分量。60v/m左右是不是偏大？可以与理想偶极子辐射场比较一下。

另外，你的压缩包里并没有模型文件，只有图，大家为了这个问题专门去建一个模型很麻烦。方便的话可以将工程文件上传，这样可以更快的找到问题。呵呵

谢谢版主的指点下次会把工程文件传上去

斑竹说远场是 exp(jwr)/r 怎么理解斑竹说的远场与距离无关？
hfss中是rE 就是用距离乘以E 这样就去掉了距离的影响

平面螺旋电感 从天线角度看 应该属于电小天线 这样辐射就很小了 可忽略了 否则就成平面螺旋天线了


谨供参考