如何解决ESD问题？用几个实际案例带你一起分析

来源：EMC容冠电磁更新时间：2024-07-21 阅读：

某智能手表侧键附近打ESD后出现反复开关机现象

根据反复重启的时间判断，类似于长按Power键。检查Power_On信号，发现已经被持续拉低，Power_On信号的原理图如下：

为了降成本，位置1并没有贴TVS管，而是用一个电容代替，电容的耐压值是25V。失效的机器，这个电容已经短路，可以判断ESD进入壳体，直接打坏了位置1的电容。

如果把位置1的电容耐压提高到50V，能抗的ESD抢数量会增多，但最终还是会坏。这个项目不是防水的，密封性做的很差，所以才有问题。

解决方法：

把位置1的电容换成TVS管，或者位置1不要贴任何东西，在位置2放一个1nF的电容。靠1K电阻+1nF电容来吸收ESD能量。

另外，在侧键的FPC附近，增加了GND露铜区域，引导ESD先进入GND。这也是一种低成本的解决方法，如果ESD能量足够大，实测几乎可以把1K电阻打坏。

某智能手表USB接口外壳打ESD造成黑屏死机问题

充电口是Micro-B型USB接口，静电接触放电±10KV，会出现黑屏，死机，闪屏等现象。

抓死机Log，没有发现什么端倪。

将USB信号逐个引出，VBUS，D+，D-都没有出现问题，打ID管脚，会出现类似现象。打GND，会很低概率出现类似现象。遂将问题定位到ID管脚，和GND上。

仔细检查USB接口附件的Layout，问题如下：

① USB_ID管脚是悬空的。

② 在L3和L6层，靠近USB接口，有与屏相关的敏感信号。

悬空的ID管脚是知名威胁，静电积累到一定程度，肯定会对周围放电，二次放电的威力更大。

USB周围的有敏感信号，在打ESD时，附近的GND电平瞬间局部抬高，尤其是看到USB接口的屏蔽壳跟表层相连，周围没有非常多的过孔打到内层GND，这更加重了GND局部电平的提高，这会干扰到这些敏感信号，导致死机，黑屏，闪屏问题。

解决方法：

USB的固定PIN以及GND PIN，只接主GND，不要每一层都接GND。MIPI，LCD_TE，LCD_RST远离USB接口。

某智能手表屏幕朝下，打后壳会黑屏

这是一个SPI接口的显示屏，问题比较简单，一个偶然的机会发现是SPI信号中，CS线被软件强制拉低，且一直处于低的状态，这样是不行的。

实测将CS线的行为改成符合SPI协议，只在传输数据时拉低，这个黑屏的问题解决了。

某智能手表在USB的GND PIN上注入接触﹣8KV静电，会概率关机

首先抓取了Log分析，没有发现什么线索。

直接拆开整机，在主板的不同地方的GND，注入ESD，统计关机的次数，得出一个简单的规律，只有在靠近电池BTB的地方，才会大概率出现，初步判断是ESD干扰了电池周围的信号。

电池BTB周围的信号有D+，D-，VBUS，MIPI，BAT_ID，BAT_THERM等，逐个在这些信号上，注入小两级的ESD，比如±2KV，有些信号会导致PMU损坏，有些会导致死机。只有BAT_ID信号会出现关机的现象。

关机有两种可能，一是内部软件流程关机，二是电池突然掉电。尤其是第二种，往往很容易忽略。因为某些情况下，ESD注入两枪，立即就出现了关机现象，这很像是电池掉电了。

电池掉电有两种可能，一是电池保护板保护机制生效，切断了供电。二是Vbat到PMU的通路被打断。排查了主板上的器件，Vbat的通路经过的都是一些模拟器件，可能性比较小。

我们直接从主板VBAT飞线，连接到程控电源上，再打ESD的时候，发现就不会关机了。这进一步说明，在注入ESD时，是电池本身没有输出了。

电池保护板的原理图如下：

在图中GND上注入+8KV，没有问题，因为右边的TVS吸收了大部分能量，由于正向导通，钳位电压较低（小于4.4V），电池保护板没有触发保护机制。但是如果注入-8KV，TVS管开始反向钳位，瞬间的钳位电压较高（大于4.4V），超过电池起保护电压，电池触发保护机制，MOS管U2断开，导致关机。下图是TVS管的钳位特性，也能佐证这个结论。