同轴馈电矩形微带天线中馈电位置对谐振深度、谐振点的影响

哪位能讲一下同轴馈电矩形微带天线中馈电位置对谐振深度、谐振点的影响。当规定了贴片 长：L      宽：W  时    应该怎么总结  馈电位置的影响    若要产生双频 对TM 不同模 又是怎样激发的呢

哪位能讲一下同轴馈电矩形微带天线中馈电位置对谐振深度、谐振点的影响
  个人觉得馈电位置的选取无非是为了实现阻抗匹配，这个很多论文有讲：沿着长度方向谐振输入电阻从侧馈时的最大值到中心时变为零，即Rin=Rin*cos^2(3.14Y0/L).其中Rin*为侧馈时的输入电阻，Y0是背馈点距侧馈边的距离，只要Y0选择合适了就可以实现阻抗匹配，在实际的仿真中做优化可以找出馈电点。还有你说的谐振深度不知道是什么，希望那您 能给讲讲，这个谐振点我感觉还是和贴片的尺寸关系大点，馈电点的影响个人感觉不太大，希望高手能指点一下。
当规定了贴片 长：L      宽：W  时    应该怎么总结  馈电位置的影响
  和上一问差不多吧
若要产生双频 对TM 不同模 又是怎样激发的呢
  背馈要激发双模，当单馈时可以通过贴片表面加载缝隙的方法实现双模也可以通过双侧贴片实现双频；也可以直接使用双馈电激发产生双模，对于双馈电的我没有接触过，希望有人能讲解一下
  以上本人愚见希望有点用处

分析的很有道理，受教了！小弟刚接触天线这块，很多没搞懂，稀里糊涂的。
矩形微带贴片 同轴线馈电 馈电点位置会影响输入阻抗（好像有公式是说与等效介电常数和贴片长有关），这样就涉及阻抗匹配。所以应使馈电位置对应的Rin等于同轴线的50，尽量实现好的阻抗匹配。“沿着长度方向谐振输入电阻从侧馈时的最大值到中心时变为零”，宽度W上电场可以认为不变，但是在W方向上移动的话会激发产生其他TM模，所以就选在中点了，不知说的对不对（对如何激发的各种TM模不同，能否讲下）。如果要实现一双频工作，看有的资料说简单的方法是 让贴片的长宽各对应一个谐振频率，然后再在对角线的某一点馈电 实现双频，可能长边中点不变的某一偏心位置会激发另一种TM模........这也不是很明白 这些模式。
我说的那个谐振深度 是说是S11值的大小，馈电点影响吧，一般匹配越好，s11越小些是吧，那个第二频的谐振点应该主要与贴片宽有关了吧，正如您所说，见笑了