二元微带阵列的求助

我是这么认为的，您看看对不对，因为馈电对称分布，所以在Z轴方向两辐射抵消一部分，是本来的最大辐射方向边弱了。还有就是  也是阵源沿着E面排列，可是馈电不是对称分布，就是我第一张图那样，当修改源后增益确实大了不少，可是我发现出现了旁瓣，这就是耦合引起的吧，要想除去这旁瓣只有增大阵源间距这一个方法吗?此时的间距为0.54波长。

我也觉得是互耦  毕竟还是一样的天线

请教下垂直面是指e面吧，帖子里作者的天线就是e面的吧?

你的2端口没给激励吧。

觉得你应该查查阵列天线合成方向图的相关资料，阵列天线的总方向图与各阵元的幅度相位相关的，你试下改变你的二元阵激励的相位，改为0和180度，看看方向图变化吧

对这个问题我很奇怪 哈  因为在创建的时候我明明是设置端口的时候加激励了啊 ，两个端口都是一样的 为什么 在仿真的时候会有一个端口没有激励呢?》我修改后  增益明显大了  您知道怎么回事吗?

仿真端口1时，端口2要关闭，仿真端口2时，端口1要关闭。

那是不是需要自己设置将两个端口都打开呢?我上边那个设置是不是就是将两个端口都打开呢?增益确实大了

小编，您好，我是初学者，根据教材上要求进行单贴片设计时，用HFSS做仿真后，S参数为直线，请问您的参数计算式依据哪些公式，可否分享一下。