天线辐射效率和板材问题

最近用hfss仿真并加工了一个天线，RF4板材。仿真的辐射效率大概80%，做出来一测只有30%。
仿真的时候设置介电常数4.4，介质损耗正切0.02。发现辐射效率只有80%后，把介质损耗正切改成0.15，仿真结果和实际就吻合的非常好了，包括S11增益和辐射效率。
难到我用的FR4板材介质损耗正切真的有这么差?有经验的可以说一下。
问过厂家了，介电常数4-5,损耗正切不知道。

S11结果跟仿真比较吻合，关键是辐射效率

介質損耗正切是與工作頻率有關的，工作頻率是多少?

损耗正切越大，效率越高的，其实损耗正切可以表示成相对介电常数的复数形式（虚部）而已，可知，从面影响辐射效率&…

最好不要用fr4板材作微带天线，损耗太大

损耗正切越大，效率越高的，其实损耗正切可以表示成相对介电常数的复数形式（虚部）而已，可知，从面影响辐射效率&…

我倒
这电磁场怎么学的
奇谈怪论还有俩人支持
损耗角正切确实可以写成介电常数的复数形式，而且是虚部
但是传播常数是要乘以j的，也就是转换成传播常数，损耗角正切就变成负实数了
也就是损耗了

0.15的损耗确实太大了，这个估计不太可能
你可以看看馈电部分是不是虚焊了

HFSS仿真出来的效率一般是radiation power/accept power
而微波暗室测试效率为 radiation power/incident power而S11就是incident power和accept power的区别
incident power=accept power + reflect power（S11）
如果S11相对差，实测出来的效率会比较差，另外厂家使用的板材损耗角偏大，也会恶化测试效率

损耗角正切0.15，实测和仿真效率吻合，这个应该只是数值上拟合的结果。FR4的损耗角虽然有频率相关性，但不会变化这个大。

FR4板材的损耗角正切值应该是在10的-2次方量级上，介质损耗只是总损耗的一部分，还有导体损耗在高频段贡献也是相当可观的。

要考虑馈电网络的损耗