用HFSS建一个模型, 贴片尺寸和介电常数不变的情况下加大接地板和空气盒子的尺寸仿出来的结果更好, 到底应该以哪个为准啊

        用HFSS建一个模型, 贴片尺寸和介电常数不变的情况下加大接地板和空气盒子的尺寸仿出来的结果更好, 加大激励端口尺寸也可以得到更好的结果,  到底应该以哪个为准啊? 哪个接地板和空气盒子以及激励端口尺寸(大的还是小的?)仿出来的结果更接近实际加工出来的天线实物啊?

最好把模型贴出来，光这么一说谁能知道

    我是根据实际测量的天线实物建的模型, 本来天线中心频率是11.85GHz, 模型仿真后中心频率明显偏离11.85G, 往高频端偏移, 改变端口阻抗值可以改变模型中心频率, 改变馈电微带线长度和空气盒子大小也可以改变模型中心频率, 模型在附件. 为了能看到各种曲线在最高点的值, 我把模型中心频率设置为了12.3GHz.   
 

是不是什么时候把中心频率调整到11.85GHz了就应该确定为最准确了?

因为天线输入阻抗和微带线的特性阻抗是一样的，馈源的阻抗跟两者不同，所以改变微带线长度和改变馈源阻抗都会使馈入天线的阻抗变化，也就是频率会变化，这是天线的输入阻抗和馈入阻抗不匹配造成的，天线的自谐振频率没有变化。
模型的rad大小超过四分之一波长，应该没问题，lz所说的改变rad大小，谐振频率变化是不是改动的小于四分之一波长了
这个图馈电网络没太看明白，lz可以算算连接天线的那段微带线特性阻抗多少，然后再把输入阻抗改成这个值试试

        谢谢楼上热心回复, 我说的改变rad大小指的是在第一次建的模型基础上进一步加大rad尺寸, 并没有缩小, 这样一来仿出来的结果比没有加大rad时更好, 比如S11和VSWR更低, 所谓的中心频率改变也是反应在S11和VSWR曲线上最低点的左右移动, 当然这肯定是中心频率改变的结果, 馈电网络是二功分器并馈网络, 至于模型里设置的阻抗是我根据实际测量的馈电微带线宽度用Tx line软件算出的结果大概192 Ohm,  所以就在模型里设置200欧了,  也不知道这样算的准不准, 另外如果把阻抗设置为300欧可以在仿真结果里看到S11和VSWR往左边移动,  就是说比200欧时模型的中心频率要低.

S11和VSWR与Gain和AxialRatio矛盾, 就是S11、VSWR显示最低值往左边移动, 而Gain和AxialRatio最佳点往右移动.

我的理解： 通常用RAD取四分之一波长可以得到与实物较接近的仿真数据，
但进一步增加RAD大小时，应该与实物测试的数据更接近，但是RAD大小增大时会增加计算量。因此，大家在仿真时一般取四分之一波长。
  换句话说：如果其他仿真条件都与实物一致，只是RAD取四分之一波长，如果此时的仿真数据能达到要求，那么测出来的数据只会比这个好，当然也就满足要求。
不知道我有没有说清楚。

你都把输入阻抗大小变了，显然S参数的中心频率会变，但是这只是阻抗不匹配造成的，你要看输入阻抗的实部虚部

对输入阻抗的实部虚部这个概念很模糊, 请问该如何看输入阻抗的实部虚部? 谢谢！

看s参数下面那个z参数，取re和im

确实啊  小编的问题说得好，我也学习了一下  呵呵

1.基板材料参数（介电常数、厚度）、微带线线宽固定了之后特性阻抗也就定了，且对频率不敏感。
2.天线的基板材料参数（介电常数、损耗角正切、厚度）、辐射片尺寸及形状确定后，天线自身的谐振频率也就定了。
3.天线的输入阻抗与位置选取有关
4.把微带馈电网络与贴片连接到一起之后，理想情况下，谐振频率上由馈电端口向天线方向看进去的输入阻抗与激励源阻抗是匹配的。
5.你设置的所谓端口阻抗实际上就是激励源阻抗。
6.当激励源阻抗与5中所说的输入阻抗不匹配时，表现为馈电网络上载驻波，匹配越差，驻波越严重，衡量参数就是反射系数、驻波比之类的越大。
7.可见，谐振频率一直没有变化，变化的只是当你更改源阻抗时引起的驻波比的变化。你所谓的频率变化，是由于你激励的是扫频源，把天线和馈电网络看作一个网络，这个网络对偏离谐振频率的信号是呈失配状态的，大体上说，偏离越大，失配越严重，表现为驻波比随扫频频率变化。
仅此而已，天线频率一直是没有变化的。

其他的赞同，1和5有问题
1 特性阻抗跟频率肯定有关的
5是不对的，设置的lump端口阻抗并不是激励阻抗，确切来说是激励阻抗的复共轭

是这两个选项吗?  这是在Results→Create Report →Report Type (Modal Solution Data);  Display Type (Rectangular Plot)选项下找到的,
     
       在网上查了一下,  阻抗是复数,  Z re应该是指天线的输入电阻(不知是贴片的输入电阻还是馈线的电阻), Z im是指天线的感抗或容抗, 这两个参数是这样理解的吗?  再次感谢！

是
re是输入阻抗的实部，im是输入阻抗的虚部

       感谢兄台赐教, 这个模型是根据实物天线测量结果建的, 贴片尺寸、馈线宽度、基板厚度都是固定的,  唯一未知的就是介电常数, 因为基板是塑料发泡材料, 根据资料介绍把介电常数定义为1.1,   现在VSWR和S11指标都很好,  问题就是仿出来的结果严重偏离了天线本来的工作频率11.85G,  结果的S11和VSWR最佳点都在12.58G左右, 最要命的是增益图和轴比图的最佳点不对应VSWR和S11最佳点, 增益最佳点在12.78G,  轴比一直往右呈越来越低, 看截图吧.

  

  

  

上海张江男老兄你好, 这个模型的Z参数实部是172.755就说明这个贴片的输入阻抗是172.755欧吗? 用172欧或170欧微带线馈电就能达到阻抗匹配是吗?

说了半天阻抗实部和虚部，忽略的一个很大的问题就是小编提出的问题！人是说辐射边界大小会对驻波等有影响，这是毋庸质疑的，盒子大小并不是仅对微带有影响，对好多天线都有影响，其次匹配s11是实部和虚部求模，只要s11足够小就一定是匹配的

''5是不对的，设置的lump端口阻抗并不是激励阻抗，确切来说是激励阻抗的复共轭 "这个有点不明白啊...为什么是复共轭呢?不是加多少就代表多少吗?

当空气盒子的尺寸大于1/4波长时接近真实值，当持续增大盒子尺寸时，增益也持续增大，他的值已经不是真实值了，我感觉是这样的

好好学习一下

学习学习

我也遇到过这样的辐射边界大于四分之一波长后大小仍然对结果有一定影响的问题，不知前辈您是否知道这其中的原因，是HFSS算法的原因吗?