AM-AM和AM-PM测试的奇怪结果

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这几天测试了我的CMOS PA，发现AM-AM和AM-PM测试结果十分奇怪，如图所示，第一个图是测试的结果，第二个是正常情况下的结果，请大家分析一下可能的原因，谢谢

你确定测试数据是这样的？还是你已经用matlab处理了啊？
能否贴原始测试图？

测了好多数据啊！
AM-AM：从图上看，相同的输入功率下，输出功率的偏差很大啊，相当于增益波动很大。确定测试时除了输入功率，别的任何条件都没有变化吗？比如Bias，温度，匹配之类的。
AM-PM：基本上相位延迟在100度附近，但是也和AM-AM同样问题，低功率下的数据也太离散了吧？
我以为，除非测试条件变化了，不然不会有如此大的离散吧？
难道真的是遇到了天杀的“Memory Effect”？

这个是原始数据，只不过是导入到matlab中看一下，这个没有问题的

这是使用调制信号测试的数据，是随机信号的结果，不需要花很多时间。所以测试条件在短时间能也不会发生如此大的变化，问题是这个结果非常奇怪，虽然我咋做two-tone test的时候发现IMD3和5的上下边带结果差别也挺大的，但是感觉还是很奇怪，因为那天着急只测试了一个芯片，我还想多测试几个，希望这个是不正常的情况。

IMD3和5，ACPR测试上下边带不对称，这确实是AM-PM失真严重的直接体现，而出现AM-PM，和记忆效应有很大关系。不过关于记忆效应，懂得很少，不知道该怎么处理。
另外，大概查了一下文献，说发生边带不对称这种现象的原因有三：AM-PM失真；供电去耦不足；输入匹配动态失调。
boshi你可以先对照检查一下后面两条，还有就是你说的，多测几个片子。

输入匹配动态失调不就是电记忆效应吗。。。
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对，我现在觉得尤其我的供电去耦有很大问题，我打算在这方面试一下，谢谢哈

没错，不过输入匹配动态失调只是记忆效应的一种表现。
记忆效应还有别的方面。

输入匹配动态失调是什么意思？
AM-PM的实际上就是记忆效应，记忆效应的来源是电容，因为电容对不同频率的阻抗不同
表现出的现象：上下边带不对称，IMR跟2tone频率间距有关等
但这通常在非线性较大的时候表现更明显
如果在信号不是很强的输入时也有这样的表现，
那很可能就是所谓的Bias-modulation，偏置或者电源的去耦没做好。

这是用啥工具测的啊?

输入匹配动态失调就是指随着输入功率的不同，导致输入匹配发生变化。
譬如，输入端口存在一个压变电容，不同输入功率下电容不同，从而匹配有所变化。
记忆效应这东西，我只是停留在纸上谈兵的阶段，光是看人家文献说，没实际遇到过。
除了你所说的电容的问题，应该还和半导体表面物理态之类的相关。
我也倾向于认为是Bias或者电源去耦不足的问题。

这个可以用VNA来测啊，比较小的信号下；
也可以用矢量信号发生器加功率计、VNA等，可以测调制信号下的情况。
控制软件，如VEE，LabView等采集数据，然后放在Matlab或ADS等工具中处理。

明白了，这个其实做大信号的HB仿真(LSSP)就能看出来。。。
记忆效应仿真也能仿出来的。

对，HB确实能发现一些大信号的问题，不过也依赖于模型的准确性。
大信号下模型到底有多可信，记忆效应的刻画是否充足，可能还没有定论。
见过某位大牛的一个说法：
PA的大信号仿真，或者验证稳定性，应该用Trans结果作为标准。
我没有这么做过，不知道对不对。

NOD我个人觉得也是这样

应该用envelop仿真，这个我在仿真中做了

用网分直接手测

恩还有一种热记忆效应
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热记忆相应在这里应该不是主要问题

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