射频识别（RFID)的工作频段
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射频识别（RFID）技术是最初由军方发展的一种敌我识别技术，现在则随着智能卡（Smart Card）和标签（Label/Tag）等大规模的商用进入我们的日常生活。本文大致介绍了RFID的工作频段、特点和相关的国际组织，仅供参考。
RFID有几个工作频段，但是我们都可以将他们归类到一个所谓的ISM波段上去，这就是I-Industry，S-Science和M-Military，简称工业/科研/军事频段。对于不同的国家和地区，ISM波段的规定不尽相同。比如，在日本400MHz波段由于被军方占用，因此可能被使用的是2.45GHz波段。但是共同点在于：如果符合某种要求，使用这类频段无需申请执照。
目前主要的ISM工作波段如下：
125 - 134 kHz (RFID)
6.78MHz - +/-15KHz
HF: 13.56 MHz +/- 7kHz (RFID: ISO/IEC 14443/15693/18000)
HF: 27.12 MHz +/- 163.0kHz
40.68MHz +/- 20kHz
UHF (400MHz, 850 – 930 MHz)(RFID)
915MHz - +/- 13.0MHz (RFID)
2.450 GHz - +/- 50.0MHz
5.800 GHz - +/- 75.0MHz
24.125 GHz - +/- 125.0MHz
122.5 GHz - +/- 500MHz
245.0 GHz - +/- 1GHz
RFID还有其他的工作频段，但是主流规范/产品使用上述频段。
对于高频（13.56 MHz）和高频以下，能量和信号的传递使用磁耦合的方式进行，RFID采用类似于空气变压器的方式从激励场中耦合得到工作所需的能量，属于无源RFID；而UHF以上频段，RFID一般采用电池供电。
125KHz是较早出现的IC类RFID产品，由于频率不高，因此可以使用3um左右的常规CMOS工艺提供的PN结（从学术上讲，注意PN结和二极管的的差异）从耦合的交流信号中整流出芯片系统工作所需的直流电源，但是要提高耦合效率，RFID可能需要数百匝的耦合线圈天线（总不可能将芯片上的电容做得很大吧），因此这一类卡有点厚，不太像“卡”。在芯片设计上也难以支持大容量的存储和复杂到使用微处理器的水平，这一类产品正在慢慢消失。
13.56MHz频段的无源耦合RFID典型工作距离在15cm左右，但是随着集成电路技术，特别是低功耗技术，和相关磁耦合技术的进展，这个参数正在被修整到1米左右，因而可能成为众多应用的期待。
UHF以上频段的RFID也并非真的需要电池供电，早期军方使用的SAW（声表面波）类型的RFID也是无源的，而且具备远距离（微波）、高速度（战机）、具有较强的穿透水、雾的能力，问题在于SAW并不和主流半导体工艺相容，因而无法提供现代RFID商用所需要的复杂的安全认证计算能力-这通常需要一颗微处理器（CPU）。
涉及无线电频段资源的机构是FCC和欧洲的CEPT /ETSI。
http://www.icdeap.org/index.php?option=com_content&task=view&id=78&Itemid=62
RFID有几个工作频段，但是我们都可以将他们归类到一个所谓的ISM波段上去，这就是I-Industry，S-Science和M-Military，简称工业/科研/军事频段。对于不同的国家和地区，ISM波段的规定不尽相同。比如，在日本400MHz波段由于被军方占用，因此可能被使用的是2.45GHz波段。但是共同点在于：如果符合某种要求，使用这类频段无需申请执照。
目前主要的ISM工作波段如下：
125 - 134 kHz (RFID)
6.78MHz - +/-15KHz
HF: 13.56 MHz +/- 7kHz (RFID: ISO/IEC 14443/15693/18000)
HF: 27.12 MHz +/- 163.0kHz
40.68MHz +/- 20kHz
UHF (400MHz, 850 – 930 MHz)(RFID)
915MHz - +/- 13.0MHz (RFID)
2.450 GHz - +/- 50.0MHz
5.800 GHz - +/- 75.0MHz
24.125 GHz - +/- 125.0MHz
122.5 GHz - +/- 500MHz
245.0 GHz - +/- 1GHz
RFID还有其他的工作频段，但是主流规范/产品使用上述频段。
对于高频（13.56 MHz）和高频以下，能量和信号的传递使用磁耦合的方式进行，RFID采用类似于空气变压器的方式从激励场中耦合得到工作所需的能量，属于无源RFID；而UHF以上频段，RFID一般采用电池供电。
125KHz是较早出现的IC类RFID产品，由于频率不高，因此可以使用3um左右的常规CMOS工艺提供的PN结（从学术上讲，注意PN结和二极管的的差异）从耦合的交流信号中整流出芯片系统工作所需的直流电源，但是要提高耦合效率，RFID可能需要数百匝的耦合线圈天线（总不可能将芯片上的电容做得很大吧），因此这一类卡有点厚，不太像“卡”。在芯片设计上也难以支持大容量的存储和复杂到使用微处理器的水平，这一类产品正在慢慢消失。
13.56MHz频段的无源耦合RFID典型工作距离在15cm左右，但是随着集成电路技术，特别是低功耗技术，和相关磁耦合技术的进展，这个参数正在被修整到1米左右，因而可能成为众多应用的期待。
UHF以上频段的RFID也并非真的需要电池供电，早期军方使用的SAW（声表面波）类型的RFID也是无源的，而且具备远距离（微波）、高速度（战机）、具有较强的穿透水、雾的能力，问题在于SAW并不和主流半导体工艺相容，因而无法提供现代RFID商用所需要的复杂的安全认证计算能力-这通常需要一颗微处理器（CPU）。
涉及无线电频段资源的机构是FCC和欧洲的CEPT /ETSI。
http://www.icdeap.org/index.php?option=com_content&task=view&id=78&Itemid=62
两个都是UHF，不知道怎么贴表格，多谢说明。
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