关于射频发射机ACPR指标与本振相噪指标的关系

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假设有一个窄带射频发射机，channel bandwidth 15Khz，channel spacing 是20khz,要求第一邻道的ACPR为-60dBc,如果采用直接上变频发射机架构，那么对本振相噪的要求是
-60dbc-10log(15khz）=-102dbc/Hz@20khz
请问以上推导正确吗？至少在量级上正确吗？（也许会有3dB的偏差）。

如果推导正确，这个ACPR指标对相噪要求岂不是太苛刻？
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  ACPR主要是看邻道泄露的，一般看发射机非线性。PLL和VCO性能直接看相噪，单点的，
  你这个推到实际上做了一个带内的积分，是积分功率，跟一般@20kHz看单点的不一样的。
  两码事。

谢谢回复。在此我假设20khz频点处在15Khz带宽内的相位噪声是相同的，只是个近似。
那我取最差情况，换个说法，就是相噪必须达到-102dBc/Hz@(20k+7.5khz)。这个有没有问题？
难道相噪性能不会影响ACPR吗？

窄带系统对相噪的要求就是很高

谢谢了！
窄带系统接收端ACS和抗阻塞对相噪同样要求苛刻是吧

宽带一样高，只不过一个是因为信噪比，一个是选择性。

必须要考虑PA非线性的影响，实际上ACLR的主要贡献也是来自PA。你的算法只能保证PA输入信号的ACLR是60dbc的水平。

也就是说相噪只是限制Aclr的一个因素这个例子中对相噪的要求必须更严才行是吧

是的你之前的计算方法是在不考虑PA的对ACLR贡献的情况下，LO的相噪的最低要求

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