请教做射频IC的专业人士

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高速IC芯片，裸芯片形式，正常的使用方式是正装（正面，即电极焊盘面，朝上安装），然后以金丝键合与周边连接。芯片为方形，所有的电极焊盘均位于芯片的边缘，被电极环绕的芯片内部能看到其表面的微细电路结构。
现在的问题是，如果我们自己采用倒装方式（自制焊凸），即将芯片翻转过来，电极焊盘与金属薄膜电路基板上的对应焊盘直接连接，基板的背面为铺地（基板背面为整个金属层GND），这种安装方式是否破坏了该射频芯片原有的微波工作模型，而导致该芯片在高频下根本不能工作（只考虑IC本身，即IC的输入到输出）？
假设该IC的工作模拟带宽为30 GHz以上，使用金薄膜电路基板的厚度为0.25 mm，基板背面整面金层GND（正面薄膜电路的GND以过孔与其连接）。我们对高速IC的微波结构不了解，无法做微波仿真，只知道采用倒装技术是有利于高速信号连接。
对于这种正常情况下以正装方式工作的高速IC，按照上述介绍的倒装安装情形，是否原理上就是行不通的？谢谢指教！

先问下你芯片的地连到哪里？
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芯片的地是将芯片的GND焊盘直接与基板的GND焊盘以芯片倒装方式通过焊凸直接连接（焊凸厚度20-30 um，直径大于键合用金丝），基板上的GND焊盘以过孔连接到基板背面，基板的背面是整面GND，与系统的GND连接。
同时基板上的靠近基板边缘的GND焊盘或区域也有其它方式与系统的GND（如管壳壳体，管壳GND引脚针）直接连接。
IC在基板的中央，其GND与基板GND焊盘连接后全部以地过孔方式与系统GND连接。

你这还是用控制电路的理论来设计高频电路
不知道你用的什么芯片，最好问问他们的FAE
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你又跑这发个帖啊
要是本来芯片内走线与背面地耦合可忽略，接地可能问题，要是本身有耦合，倒过来会不
会有点问题不确定啊

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