GaAs PA(功率放大器)的世界一线厂商的细节
2-4.PA的Power cell。三级都用了基本的RC稳定结构,对于S公司自己的HBT单元,内部即存在基极串联稳定电阻及发射级稳定电阻,可以参考S公司的马蹄型HBT单元专利。但我感觉这两个电阻可以在实际电路中去掉,因为对增益和功率损耗很严重。还有一点,三级的串联电容按从第一级到末级的顺序,依次减小;而并联的镇流电阻却依次变大。而HBT单元根据发射极面积对应WIN的库中,应该是202。
5.这是正偏与反偏的二极管。二极管在功放设计中主要用于钳位保护与ESD,可以看出图中的二极管正偏远多于反偏,说明这个PAD上加有正电压。通过正偏的二极管数量判断加在PAD上的电压大致在3V左右。另外除了图中这种,还有一种正偏与反偏的二极管数量一致,说明此PAD没有直流加载,比如整个功放的输入端。另外,二极管在光刻过程中要多N个步骤,价钱确实也会高很多,比如某公司的SD层,就会加4000美金,所以能用Diode连接的HBT就用吧。
6.这是R公司的HBT单元,发射极与基极在HBT管的两端,这样非常好Layout。图中的这款芯片是R公司在2002发布的一款GSM功放芯片,在芯片内部完全用的很简单的偏置(双Diode叠加偏置)与单管功率控制单元。可以关注的有三点:其一,第二级并没有接地过孔接地,而是用一个PAD Bonding的方式接地,可以推断出如果不加的话,不稳定;其二,第二级的HBT在接地PAD两端数量不一致:一侧三个,一侧二个;其三,整个芯片的三级之间除了隔直电容都没有使用任何的匹配网络。这和HBT及稳定网络的layout有关。另外,在每级都用了电阻并联负反馈结构,这也可以有助于将阻抗向50欧姆处移动。
还有版图比较......
这样比较直观
是显微镜照片吧。。。
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猜对了。。。
这种照片是上不了台面的吧。。。
私下看看学习无所谓,秀出来就不好了吧
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应该还好,毕竟不会用于商业用途
赞一个,不错。
有机会我也传两张
好文章,有机会我也整一下这方面的信息。
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