一个可能比较基本的问题求教
我需要测量一段CPW传输线的S21参数，用网络分析仪，问题是由于传输线仅有一端是可与GSG微波探针进行匹配接触的，另一端经渐变结构后完全超出各种规格探针要求（整个CPW各部分满足同一阻抗匹配设计），那么对它的测试是否可以这样进行：
假设CPW的左端是可以直接压GSG探针的，将该CPW图形复制，然后左右翻转180度，再与原有的一个CPW图形进行对接，这样得到长度和结构增加一倍的并呈镜像对称的图形，可专门制作出这样一个完整的样品，于是这个样品的两端都可以直接压探针测试。
对于上述的间接测试结构，我想请教：是否可以以该结构的-6dB带宽值来表征原有的仅有一半长度和半边结构的所需测量结构的-3dB带宽值？我的理解是：原有结构的-3dB频率点，在经过同样结构的衰减后又下降3dB，变成-6dB，这样我就可以用2倍结构的-6dB频率点来反映1倍结构的-3dB点。不知道这样的做法或者理解是否有问题。
谢谢指教！
很好的问题，以我的理解，你的共面波导线应该一端是50ohm，另一端可能是经过渐变的阻抗变换后到了某个阻抗，比如说是10ohm，一般来说你渐变的目的就是想得到一个宽带的阻抗变换。
你如果只是想分析你的CPW传输线，以我的分析，其实你是测试这个50ohm到某个阻抗的impedance transformer这个half fixture的可用频率范围，你把这个half fixture back to
back得到的其实是个thru。
通过测试这个Thru的匹配和插损即能分析它的可用频率范围，thru的频率范围即half fixture的频率范围，通常来说，half fixture的驻波比是thru的驻波比的开根号，因为thru
有2次反射。
所以3dB和6dB是不对的，你直接分析s11/s22,S21/S12就可以看出频率范围，thru的频率范围即half fixture的频率范围。
谢谢！首先我所涉及的CPW阻抗值是恒定设计的（50ohm），之所以有渐变是因为一端要与一个特定的芯片电极相连，后面中间要跨接一个给定封装的表贴隔直电容，这两个连接间的尺寸匹配差异很大，顾导致。
其次您所叙述的内容我有一点不太理解，假如“thru”的可用频率范围等于“half fixture”，那我把“thru”再double一下变成“thru2”，thru2 就等于 thru，再double直至成“thruN”，N取到无穷，难道它们之间的可用频繁范围都是相等的？传输线的传输过程损耗是来源于介质损耗和辐射损耗两个方面吗？还是您说的是不考虑损耗的理想情形？
一般都是用这种方法测的。没问题
但是好像不能简单的除以2，用传输矩阵推应该没问题
.72
能不能做个测试thru，然后把这段校准掉，同样可以测试s21，可以参考TRL校准原理
其实我做的这个推测是基于两个我认为应该是正确的前提：
一是对于单纯的一段传输线（尤其是阻抗匹配值是恒定的），左端输入和右端输入得到的传输情况是一样的，
二是对于一个长度为L的传输线，左端输入a1，右端得到b1，记b1为a2，然后让这个a2再经过一个长度为L的同样传输线，得到b2，由于经过的是同样的传输线，因此应该有
b1/a1 = b2/a2，也就可以推得 b2/a1 = (b1/a1)^2，也就是1倍长度的3dB等同于2倍长度的6dB。
我是用纯数学的方式来得出这个结论的，不知是哪里会有什么问题。
再请教，是否所谓的“长线效应”对这个结论的成立与否有关系？
