使用WAVE PORT的问题：为何理想磁边界与辐射边界结果差异大？

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使用WAVE PORT的问题：为何理想磁边界与辐射边界结果差异大？
仿真结构均未修改，仅仅更改了空气腔体的边界条件
一个是理想磁边界，一个是辐射边界
那位朋友讲讲其中的缘故
第一张是辐射边界
第二张是理想磁边界

下面是使用集中端口LUMPER PORT的两种结果
也是按空气腔体为理想磁边界与辐射边界进行的仿真

第一张是理想磁边界
第二张是辐射边界
看着基本接近，辐射的db比理想的高这应该也属于正常

你这waveport没加对吧，看着没接地
端口尺寸要求5h，10w，你看看够了没

这个肯定够了
使用的是终端驱动模式
设置波端口的时候选择了参考面

在对应波端口上画了矩形
因为边界设置成理想磁边界的时候跟使用集中端口的仿真结果类似
只是在相同结构情况下，只更改了边界条件为辐射边界

LUMPER PORT的问题：端口设置板边框必须跟走线相切吗？
端口位置不变，只是将板边延长一小段，得出的S参数就有较大差异
第一张是板边框与走线相切，属于同一面
第二张仅仅将板框延长了一小段（包括上下参考面与之间的FR4材料的尺寸）

网上看到的一句说法：
Lump port是附在一個外加的sheet物件上，且該sheet不用設定材質或邊界條件
Sheet的edge要"正好"接觸port要下的net，且不可插入該net材質
我这个sheet没有插入net材质
是不是sheet也不能插入FR4材质？
对于从外部导入的信号线，是不是都要先切成同一面的才能仿真吗？

看了27267中的图，waveport没接地，要从接地面画起，盖住整个微带
模型不对，算出什么都是可能的
另外，友情提示，HFSS不是宽带仿真软件

这是微带处截图

1 为什么要设置理想磁边界，辐射边界就可以了。
2 waveport的话，矩形要包住导带和地。大小的话，前面有人给了具体参数。
3 lumped port的话，导带2d就可以了。port长为导带宽，port宽为介质厚

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