请问一些有关功分器的问题！

05-08

大侠们好，我现在正做一8G的功分器：
ads仿真结果如下：
制版图

加电阻仿真结果：

经cst测试结果：
不加电阻

加电阻后

各个仿真结果都能够满足设计的需要。但是做成品后测试的结果就大不相同。测试的S23结果倒是比较理想，可以达到-20dB。但是s12差的太远，而且在8G附近出现了大幅度波动。请各位大侠帮忙解释一下，为什么会出现大幅度波动呢?

由于我之前没有制过版，所以铺铜过程中出现了两分支尺寸存在微小差别，也造成与仿真得的尺寸稍有不同。这会是结果不理想的原因吗?先谢谢大侠们啦！
基板介电常数为 3.5，基板厚度0.508mm，铺铜厚0.018mm

图没有上传上来哦

自己顶起来！

顶起，期待有实际经验的高手回答！

同問, 我也想知道

请大家来帮忙啊！

怎么没人帮我瞧瞧哈?

小编用的是什么材料的基片?介电常数多少啊?

飞洒发射反反复反复反复反复反复

基板介电常数为 3.5，基板厚度0.508mm，铺铜厚0.018mm

我只看出来是个威尔金式的功分器，汗
没有微带的工程经验啊，只是提个自己猜测的方向，微带线的拐弯的地方拐角是有讲究的，一般是直角边的变量，利用什么二次反射啊啥的，具体我也记不清了
ADS仿真是EM仿真吗?
有CST的仿真还会差这么多，我也不明白

会不会是加工的问题啊?以前我做在陶瓷片上的都很好啊

我来提几点,有不对的大家互相讨论！
微带功分做8G算比较高了,从你的仿真看是没问题的,也就说这是可以实现的,但实际为什么有差别,尤其是会出现反射峰,有两种可以解决的办法:
1.改变腔体高度,试着改到4--6mm,这样就会"扰乱"反射,不让它出现"大"的反射.
2.当反射变小(盖上盖),仍会有小的"峰"时,在盖板上贴一块"吸收材料"(要找位置),就可以解决了！
,

谢谢楼上各位大侠的指点啦！

其实是腔体产生谐振所致！

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