这样的校准有用么？

05-08

让我先描述一下情况：

我们要测一个LTCC片上电感的电感值，准备利用校准片，将探针针尖以前的所有系统误差都校准掉。（按照下面的理论）

我们在片上制作TRL校准件，将reference plane校准到Thru的中心，然后对DUT（也就是电感）进行测试。DUT的Pad和前一段的引线（电感图中蓝色圈住的部分）和TRL校准件的PAD和Thru的半长度引线是完全一样的，因此校准后测到S参数完全是电感的S参数，并且端口处的特征阻抗与TRL Thru的特征阻抗值是一样的。

问题：

1已经得到DUT的S参数，如何转换为Y/Z矩阵呢?是不是需要知道端口处的特征阻抗。如果端口处的特征阻抗不是50欧，甚至不知道是多少欧?如果不知道怎么能把S参数转换为Y矩阵呢?因为我们校准后得到的S参数是以PAD或者其他引线结构为端口的，这个端口阻抗我们是不知道的。

2在整个测试系统中，电缆到探针，探针到PAD，可能都有特征阻抗的失配，因此引起插损。但是是不是我们用TRL将reference面推到片上Thru结构的中间位置，然后校准后，reference面之前的所有阻抗失配，以及其他的非理想效应都统统被校准掉了?测得的S参数是否能真正反应DUT(电感)的回波损耗和插入损耗?
希望大家能回复我，谢谢！

居然没有人。自顶！

S参数转换为Y/Z参数，可以在ADS中完成，也可以自己计算。特征阻抗Z0是50欧姆，这个50欧姆应该和你的器件无关，是与测试仪器相关的。
我觉得你应该做一个OPEN和SHORT结构，把PAD和引线的影响去除掉

上一篇：微波器件专业学生请教大虾们选择研究方向问题
下一篇：移相器带宽

射频专业培训教程推荐