3阶互调
05-08
我做了一个3DB电桥的耦合器,以往腔深是15MM,这次为了提高3阶互调,我建了一个腔深是10MM的模型,仿真的结果还好,但实际产品很难调试,由于内导体紧耦合距离太近,功率达不达不到要求,想把腔体加深,但又担心3阶互调不够,请教同仁们指点一下!谢谢
不太理解,腔体做耦合器的情况~~~
3阶互调和腔深有什么关系呢?
3阶互调主要从材料及电镀入手吧?
其实一般来说,决定互调的主要因素是材料、加工工艺、电镀,其中不同材料的电气性能不一样,还与材质的均匀一致性有关,比如纯铝的互调特性就要好于铝、银的。还有一个,就是加工工艺,一般机加工的就比压铸成型的要好,表面的光滑度,清洁度和焊接处得平滑度都是产生互调的重要原因。如果表面不光滑,电磁波在经过时,就会在突起处产生电弧,导致高次谐波成分。从理论上讲,相位偏差导致频率多径效应,产生高次谐波,即互调产生的根本原因。但不知腔体深度对互调有多大影响。
顶楼上,很精辟,学习了
那如何能保证互调的一致性呢?
材质,其他都一样的情况下,那就靠工艺来保持了
工艺很重要,比如连接,焊接等等
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