高频功分器设计(25G以上)
05-08
以前做过10G以下的功分器,用Wilkinson微带实现的,现在需要做一个25G以上的一分16的功分器,根据以前做的经验,这样走线会非常短,加工方面会不易实现,有没有大神指导一下该怎么做,以前设计是通过ADS先仿真的
*** 3D EM仿真设置的难度在于定边界条件、端口形态。例如仿真DRO时腔体、边界条件、端口形态..就决定了仿真的准确度。
问题二: 改变基材的厚度在制板工艺的可控条件下! 例如: 0.2mm。(万物皆有一体两面、克服了面积问题,接踵而来的是带宽受限!)
1/4波长线改成3/4波长线。不过带宽会变窄。
还有个问题,ADS版图仿真跟HFSS中的电磁仿真结果为什么相差会很大,HFSS可以带腔体仿真,但是它的隔离电阻是理想的,ADS中会有电阻的封装,这样结果会准确点,但是高频怕会有腔体谐振,这该怎么处理呢,求大神指导
使用ER=1.92.1的铁氟龙基材,这样25G的0.25波长约在2.12.5mm之间,看看是否能满足你的需要!?
谢谢您的回复,我想问一下,你们做功分器的时候前期是用哪种软件仿真的,以前10G以下的时候,我用的是ADS联合仿真,结果还算一致,但是高频怕腔体谐振,所以想用HFSS仿真,这样就试了一下以前的模型,感觉结果相差很大,网上查了一下,HFSS中没有具体的隔离电阻,ADS中的隔离电阻更接近于实际,这种问题怎么解决呢
2.1mm跟线宽接近啊,该怎么布局呢?
两个问题一并回复:
问题一: ADS 的FEM 或是EMPro是得到结果的速度较快,但以精准度来说EMPro 优于ADS momentum。(适合电小),HFSS 准确度高。(适合电小、隔离电阻的模型也不难建立)。
相对CST建立隔离
*** 3D EM仿真设置的难度在于定边界条件、端口形态。例如仿真DRO时腔体、边界条件、端口形态..就决定了仿真的准确度。
问题二: 改变基材的厚度在制板工艺的可控条件下! 例如: 0.2mm。(万物皆有一体两面、克服了面积问题,接踵而来的是带宽受限!)
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