800M到3G功分器问题
05-08
图片很糟糕，没办法。
1分2的时候，插损在频带内小于3.2
1分4时，插损在1G到3.5G小于6.2，低于1G的插损也是小于6.6
1分8时，800M到1.1G的插损小于10，最低达到14dB。
为什么多路功分低频段插损这么差?
1分8时，1.1G到3.5G插损小于9.2
小编 对多功分器的电参数不很了解
我就是把多个1分2的合在一起
不知这样是否有解你之惑！? 当然跟隔离电阻的分配也小有关系。
LZ用手机拍的吧。先学学怎么截图吧。根本看不清。插损大是不是匹配不好呢。
Air box____boundary: radiation
学习来了
图片重新发了，之前是工作机上拍的
我去试一试
你的意思是在低频段插损必然比高频段要差一些，对吗?可它会差这么多吗?（A_DB是每毫米损耗吗）（图片我重发了）
加了辐射边界后确实改善了很多，不过实物做出来会有很大偏差吗?
A_DB 是当下那条传输路径的损耗，总衰减量不只有A_DB ！ 还有匹配、隔离电阻值、Er、表面/接合面的平整度...等因素。
辐射边界的距离相当于实物上的机壳金属腔体内的空间。(所以它的共振点才是你要注意的地方)
辐射边界的距离不等于实物上的机壳金属腔体内的空间。辐射边界模拟的是裸板测试的结果。如果要加金属腔体的话就不能加辐射边界。为了避免共振可能需要在金属腔内加支撑脊。
额 是的！ 兄台高明，是我误说了PEC-B，谢谢！
需要高质量的截图。
有可能存在风险，需工程经验的人指导一下
如果功分器做出实物，输出相位不一致，应该怎么调节，尤其是宽频带的，低频和高频的相位差不一样，大神能指点指点吗?
如果功分器做出实物，输出的相位不一致，应该怎么调节，尤其是宽频带的，低频和高频的相位差不一样，大神能指点指点吗?
调整可以借助仿真
好像出线谐振了，腔体尺寸太大了
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