端口激励设置问题

05-08

我仿真的时候报错：the calculation seems tobe unstable！ a possible source of instability could be given by inaccurate definition of internal waveguide prots.please consider to increase the dimension or shield your waveguide ports。
我设置的是一个同轴波导激励，由于同轴截面不与坐标系平行，所以我又建了一个相同的与坐标系平行的同轴，然后将两者用“Loft”，光滑度为0.5操作连接起来。，如下图

然后我将同轴单独细刨分，如图

然后就报错了。看网上的各种方法，鼓捣了两天了也没解决，各位大神有没有想法?求教

软件仿真方式并非一成不变，懂得善用技巧才能善其事！ (建立在扎实的基础之上)。
渐变形状的模型适用TEM的方式，如此网格就容易划分(尤其是TD方式)。

你的模型就适用于FD的方式。

完全没必要同时选择同轴线内导体，你因该知道，理论知识，微波并不会在导体内传播，所以直接选择外面的介质环就好了。不影响仿真结果

我这个模型比较特殊，模型各部分的尺寸相差过大.Tetrahedral有限元法貌似不行。我正在尝试将同轴长度变长一点，可能是我同轴设置的太短了。您觉得会是这个原因吗

为什么要剖分之后再计算?计算速度很慢么?按图所示剖分结构TEM波还能传么?
能否换个对称面?

仿真不都是在网格刨分以后再计算的吗。我是在从CATIA中导入的模型的基础上建模了我的天线，所以与坐标轴不对称。我并未设置对称面。

仿真不都是在网格刨分以后再计算的吗。我是在从CATIA中导入的模型的基础上建模了我的天线，所以与坐标轴不对称。我并未设置对称面。.

额。我想我的回答或许会显得比较弱智。不过无论从字面意思。还是从标准的设置来看，你的端口面积好像面积不够，试试看用lumport激励或是使用圆形面积完全覆盖这个区域

我整的就是整个介质环为激励面

这个我知道，我整的激励面就是外面的介质环。应该不会端口面积不够吧。我做了个弯曲，只要激励面与坐标轴平行即可。

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