这种LC谐振结构怎么消除高频特性？

05-08

我用同轴腔体实现一个带零点的LC低通滤波器的时候，用高阻抗线实现电感，低阻抗实现电容，在HFSS里面仿真和ADS里面计算每一段LC得到的S曲线都很吻合，但是在零点部分，也就是并联一个LC串联谐振部分，发现HFSS仿真怎么都达不到ADS里的效果，导致整个滤波器的性能在高频都不好，不知道版上有没有这方面有经验的大牛点拨一下
，这个部分该怎么处理，才能接近理想的电感电容串联的效果? 需要声明的是，在HFSS里面，我任意改变串联谐振的电感长度和电容值，高频趋势都是一样，而不是像ADS里面抬起来就下降的趋势。

HFSS表明你的"高通电容"不足！
**电感可视为低通、电容视为高通，只是...
你是串接两端口还是并接于 common-ground ！?

你的意思是电容不够大?
HFSS里面左右是两个端口，，中间的垂直杆是电感和电容面，形成的串联结构，然后接地。

是的！电容"量"不够大..
C= A/D
C 电容量
A 导体面积
D 导体面接面的距离

  电容电感串联谐振，改变电容值，也改变了谐振频率。我改变HFSS里面的电感电容大小很容易把谐振点的位置调成和ADS里一样
  但我的问题不是谐振点位置的问题，而是在HFSS里谐振点后面的S21为什么会随频率起来那么高，而在ADS里只是起来一些，然后就开始缓慢下降?这个问题怎么解决

小编做的应该是低通吧，后面的那些谐振不是很容易消掉的，仿真肯定以HFSS的结果为准，ADS集总参数，不能当作最终结果，既然做的低通对后面有很严的要求吗?如果没有就不管它，如果有要求，考虑增加阶数试试

还可以考虑改变并联的那个LC值，从而改变电长度，谐振会改变。

对，是低通，后面挺重要的，所以没放弃这种结构。
我用HFSS仿真查证过，前面的结构仿真和ADS一样，就是串联谐振这个地方导致的后面谐振，所以我认为解铃还须系铃人，还是得从串联谐振结构这个地方入手，增加阶数可能改变不了现状。

我说的电容量不够大！是我觉得以HFSS 建模的那个模型（电容结构达不到12.99pF ！）
不信！?单独仿真那个电容结构--看看它容量是多少！?

我完全理解你的意思，，我也按你的意思改了
谐振点可以和ADS完全重合，但是高频部分，S21形状还是和现在一样，抬的很高，而不是和ADS一样下降趋势。
我想问的是怎么把高频的S21按下去

你的模型方便传上来吗?

你还是没有明白我的意思，这种结构肯定会有这个谐振现象，foxman说的电容不够大是有道理的，小编不能说HFSS和ADS的波形仿真的一样了，就能代表并联的那个电容电感和ADS一样，你可以试着像foxman说的增大电容或者电感，也可以同时曾加电感和电容，这样并联的电容电感直接由于电容和电感的值变大了，你要恢复原来的波形，那么总的电长度必然减小，这样谐振肯定往高频方向移动，虽然不能消除，但能在一定程度上远离你的要求频段。

好的，，，谢谢你了，也谢谢foxman兄弟

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