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TSV(though-silicon via)硅通孔电气性能仿真分析

05-08
       大家有没有人用HFSS做过TSV电气性能的分析呢?我模型建好了,但是总是得不到正确的仿真结果。求出的S21和S11,很纠结啊?眼看毕设中期检查就要开始了,可是仍然没有头绪,不知道大家有没有什么好的意见或者建议呢?算出来的S21是-100多db,这是不进行归一化的结果,归一化之后就没有图形了,到底是什么原因呢?有没有哪位大神知道?
      小弟在这里先谢谢各位了!

来人啊,帮帮我啊……………………

为什么没有人呢?

再顶一下,把金币加上去……

你有QQ号么?我最近也在用HFSS做TSV电学仿真,加我QQ:421890997 松林,一起讨论吧。

模型在哪?

咱们俩能讨论一下么?
我最近也在做TSV仿真 我可以吧模型发给你看看 其实就是两根铜柱 铜柱外围包裹二氧化硅绝缘层 然后铜柱和绝缘层周围被硅包裹
一根TSV通孔做为信号传输线,另外一根为信号返回路径

嗯,好的,我的毕设与TSV有关,开学读研所学的知识也和TSV有关,有兴趣的话可以一起聊聊

我也在做这个,一直想找人交流交流

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