sonnet问题
我要EM FET （extrinsic 和intrinsic）。附件是左边是momentum的EM layout,右边是放大的sonnet geometry的intrinsic 部分。 哪位大侠帮我看看啊，我可以用email把sonnet的project发过去。先谢谢了
还有，用sonnet，换不同level显示时，我怎么觉得有的level我的layer都offset了，换到level 0 就看着一切正常了。这个正常么？
: 我想用sonnet EM 一个2x100的FET，sonnet报错说p4/p7 overlap each other, 我的p4/p7分别在两个gate drain的ohmic contact 上（最终经过via 和metal1 并联在一起），我这个port 应该怎么加呢，sonnet的port没有方向么？
~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~你sonnet里这个port是antognd的吧，
这相当于momentum里的internal port，没有方向，你momentum里箭头方向也是假的，momentum也会把它当internal port算，无方向。至于报错不太清楚，我用standard port比较多。看你网格开的很大，会不会是这个原因？
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先对大牛表示感谢，还有几点不明白需要继续请教：
---co-calibrate ports pair之间为什么不能有polygon呢？（shared ground为什么中间不能有polygon呢，可以把box bottom 当shared ground)
----如果，我用standard port，就会报错说没有ground reference，是不是standard port必须从box边缘引过去，
---无方向问题：因为是要算intrinsic fet，drain source的电流方向应该是垂直gate的，如果没有方向是平行，算出来的结果就有问题了。。。
---standard port怎么换方向呢？好像也没有方向
: 我要EM FET （extrinsic 和intrinsic）。附件是左边是momentum的EM layout,右边是放大的sonnet geometry的intrinsic 部分。 哪位大侠帮我看看啊，我可以用email把sonnet的project发过去。先谢谢了
: 还有，用sonnet，换不同level显示时，我怎么觉得有的level我的layer都offset了，换到level 0 就看着一切正常了。这个正常么？
~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~这个应该是你网格的原因，momentum自动划分网格，不用你管，但sonnet需要按最小的尺寸来设置风格，如果网格开的太大，自动吸附到网格上之后就会出现offset。
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---我的box大，为了减少mesh，所以设这么大的网格....我的device是on wafer的，所以不要modeling coupling to the box,根据sonnet的user guide,我需要device离box 3-5倍的衬底距离，我的衬底是75um,所以box+device,至少要800um的box...,而gate length是0.5um,这种情况下，也必须要把X设成0.5um 么？
再次感谢
sonnet和momentum是用来算无源的东西的，port的方向是用来做calibration的，与你后面的电流从哪边流没有关系。
standard port是需要加在box上，我一直是这么来用，其他用法没试过。
他user guide里有写，应该如何取网格。由于sonnet需要事先定义网格，所以限制比较多。像你这种情况，你可以用局部网格细化，或者看看长宽取不同的网格大小行不行。
明白了，谢谢！
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