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对PA来讲用BJT做还是FET做各有啥优缺点吗?

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分立元件搭的PA
我看有BJT的,也有各种FET的
笼统讲他们各有什么优缺点吗?选择的时候一般都有啥考虑?
成本?效率?线性度?增益?

功率,电压,效率。
还有,钱。

能仔细讲讲这几个因素中都是哪个种类有优势吗?

手机一般用的啥,忘了(可能是Cmos),追求的是价格、低电压操作、关断时省电、高效率。
基站一般用的LDMOS,700MHz~3GHz,相对便宜,电压高,功率高。
再高的频率,用GAas管,增益高,线性好,功率小,价格高,大概就这样了。
这都是量产的,如果不量产,什么贵用什么就对了。
说白了就是一个大的Mos管或者晶体管,价格便宜的情况下,能用就行。

手机不都用 GaAs 吗?

GaAs HBT

现在skyworks要把pa变成cmos,不过效率降低,只有山寨厂接受

BJT没有做功放的吧。。。小信号放大还可以。

CMOS工艺的就是便宜,原先在线性度方面比GaAs\SiGe都要差些,不过现在技术工艺各方面都有突破,用在手机上性能差别逐渐在缩小。

超大功率的貌似没有,看到有那种放到几十、一百mW的PA用BJT的

手机功放里用GaAs HBT的很多...

LDMOS的电源电压供电可以很高(10V以上),所以多用在基站
手机这种需要Li电池,用3.3V供电的GaAs HBT比较多
SiGe HBT功率一般做不到30dBm以上(IBM号称PAe可以),用在Wifi这种15~18dBm范围内的不少(当然GaAs也可以)
Si BJT的更少见了

LDMOS电压可以50V,甚至达到100V。。。
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