请教 在HFSS中微带线用wave port以及lumped口的问题
12-13
我想问问
我看资料说用wave port仿一段简单的微带线时候 一般port高度要设置为substrate高度的4-5倍，我的情况是高度设置为4-5倍时候，仿真结果不理想，设置为3倍或以下时候很好，我怎么决断好呢？substrate里的场分布都一样，是看空气中的电场高度来判断还是看port上面的电场分布来判断啊？
第二个问题，同样物理尺寸时候 wave port仿真的结果和lumped port的很不一样，而且发现用lumped port的话，substrate的宽度都是很敏感的，wave port时候可以给substrate弄很宽，也没什么关系，是不是wave的比较可信啊？
第三个问题是 如我附件里的两种加lumped port的方式，结果大不相同，可是substrate里的场分布一样，这两种设置端口的方法都对吗？
小弟先谢过
我看资料说用wave port仿一段简单的微带线时候 一般port高度要设置为substrate高度的4-5倍，我的情况是高度设置为4-5倍时候，仿真结果不理想，设置为3倍或以下时候很好，我怎么决断好呢？substrate里的场分布都一样，是看空气中的电场高度来判断还是看port上面的电场分布来判断啊？
第二个问题，同样物理尺寸时候 wave port仿真的结果和lumped port的很不一样，而且发现用lumped port的话，substrate的宽度都是很敏感的，wave port时候可以给substrate弄很宽，也没什么关系，是不是wave的比较可信啊？
第三个问题是 如我附件里的两种加lumped port的方式，结果大不相同，可是substrate里的场分布一样，这两种设置端口的方法都对吗？
小弟先谢过
大致看了一下
我的做法是
微带线馈电都用lumped port,大小就是微带的宽度*介质版的厚度。wave port在9.0以前仿真微带线馈电用，那时还没有lumped port
个人觉得还是尽量用waveport，按照hfss要求来设置port的宽度和高度。 lump port
主要用在结构内部，没法校准（一个是port 积分线的电感效应，一个是微带线边缘电容效应），高频s参数要求比较高的话还得自己calibrate掉这两个效应，你给例子中第二种设置最好不要用。
那用wave port的话 port大小遵循什么标准好
我感觉是看port上的场分布来判断port大小是否合适
可是我什么都没看出来
waveport的边界相当于PEC材料，设置完以后看Port上的场分布，以不干扰到原始的场分布最好，这也是为什么waveport的宽和高要远离微带线的原因。
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