关于有记忆效应的功放的基带预失真

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有几个问题不是怎么清楚，请大家指教：
1. 功放的记忆效应具体定义是不是PA的输入不单单和当前的输入有关，还同以前输入信号有关？主要分为电记忆效应和热记忆效应，是不是一般电记忆效应是主要的？
2.电记忆效应导致的原因是不是因为信号带宽较宽，而偏至网络对不同频率信号响应不同，这就相当于放大器的偏置点被调制了？
3. 对于无记忆的效应的功放，现在的线形化是不是采用基带预失真查表(LUT)的方法比较多? 对于有记忆效应的功放，一般采用什么线形化的方法，采用什么模型来表征有记忆效应功放？是不是线形化主要还是采用基带预失真查表(LUT)的方法比较多，但是考虑了记忆效应？请推荐有记忆效应功放的线形化的相关文章。
4. 是不是只有当功放的输出功率比较高的时候记忆效应才严重？一般输出多大功率的时候需要考虑？一个cmos WLAN PA,其输出功率大概为10dBm, 请问这时候需要考虑记忆模型吗？
谢谢

电记忆效应不就是因为管子里的寄生电抗吗

去看宁波大学一个海归的文章吧。记得好多文章都讨论这个。

LZ是不是看到A公司的招聘JD了？

现在讨论功放记忆效应的文章非常多了，Hammerstein、Memory Polynomial、Nerual Network等模型都有在这方面的应用。感觉10dBm的输出功率没必要做DPD，因为节省下来的功耗还不够数字部分增加的功耗。

除了管子本身的寄生效应，偏置电路对于不同频率信号的响应不同也会带来记忆效应

在网上看过，是一个ppt。现在DPD用LUT方法的有考虑记忆效应的吗？

要更复杂的，亲耐的doser。。。呵呵
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