请教一个问题 有点急 谢谢

   请教大家一个问题：我用混频模块、功分器、移相器构建了一个镜频抑制混频器。（高本振注入）如下图。按照理论分析，中频输出端同相加强，在抑制端反相（相差180度）抵消，从而实现混频和镜像抑制。其中三个移相器均设为移相90度。
     问题是，在ADS仿真过程中，当使用理想的混频模块时，上述没有问题。当其中的混频模块采用一个具体设计的底层电路代替时，问题出现了：如下图所示：（更正：曲线图中的Ph3应为Ph1），也就是当对ph1这个相位参数作扫描时（Ph2、ph3皆为90度），可以发现：
当本振移相器移相70度时，中频信号在中频输出端的功率最大；
当本振移相器移相110度时，中频信号在镜像抑制端输出功率最小；
请问这是怎么回事？不应该都是90度处出现最值么？
谢谢大家

请帮忙指导

我觉得上下差20度 不是简单误差的问题