有谁知道卫星高频头的噪声温度怎么回事？

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看到微波集成电路大全上的资料，80年代国内卫星高频头产品在C波段，噪声温度也就30K
左右，有的甚至更小！可是这个噪声温度，换算成噪声系数也就是0.3-0.4dB左右，那个时
候怎么可能达到呢？即使是现在也是很难做到啊？
有哪位大牛知道怎么回事啊？

可以达到，是噪声匹配的。用的是富士通管。

C波段LNB做到0.4dB还是可以的，只要最小噪声系数能到这个值，然后找到对应的
最佳源匹配就可以实现噪声匹配了，当然宽带可能相对难实现些，窄带相对简单些。
另外，你说的噪声温度30k是LNB的等效噪声温度Te吧，Te=(F-1)T0,T0=290k,
Te=30k, 得到F=1.1,NF=10lg(1.1)=0.4dB。

不好意思，那天发完之后有事就没来看回复。我的意思是说，如果20K是我们一般定义的噪
声温度，那么对应的噪声系数才0.3dB。即使现在我们拿到的一些低噪声管如ne3210之类，
C波段最小噪声系数也就是0.3dB，做成两级放大器肯定要比0.3dB大不少的。况且对于高
频头后面还有滤波混频会带来一定的噪声（当然很小）。还有高频头是匹配到50欧嘛？如
果还要匹配到50欧，噪声系数更大了。当然还有80年代，像ne3210这种hemt管估计还没成
熟呢，即使有也很贵，可高频头不贵啊

两级放大器也不一定NF恶化很多，根据Noise Factor的级联公式，
假设两级里的单个放大器噪声因子都是1.1即0.4dB，
Noise Factor(总)=1.1+(1.1-1)/G, 如果第二个LNA的增益为20dB，即100，
那么Noise Factor=1.1+0.001=1.1001，基本不变。

嗯，你公式里的增益应该是第一级的增益吧？
你可能还没有明白我的意思，我的意思是单个放大管最小噪声系数0.3dB左右，两级管子构
成一个放大器，一般增益就是20多dB，通常会比单级管子最小噪声系数大不少。况且第一
级管子前面完全做最佳噪声匹配，不管驻波了？
而且这是80年代的水平，当时的水平怎么做到的？即使现在做到成本也不低吧，怎么高频
头那么便宜呢？

一般都是设计成cascade管子贡献噪声比例比例很低--如果不是频率太高的话不难做到。通常噪声匹配和阻抗匹配是很接近的，如果真是要求非常高可以调整源阻抗，比如下面这篇文章，给射电望远镜做的
Leonid Belostotski and James W. Haslett, "Sub-0.2 dB Noise Figure Wideband Room-Temperature CMOS LNA With Non-50 Omega Signal-Source Impedance", IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. 42, No. 11, pp. 2492-2502, November 2007

   嗯，是第一级，写错了。
   噪声对应的源匹配电路设计完后，还是可以通过源匹配和输入匹配共轭实现
良好的驻波比的，因为Ms(即源端失配因子)在共轭匹配下不存在，对应的输入
端驻波是很好的。
   至于高频头成本为什么这么低，不是很清楚。

嗯，咱么不说理论说事实吧。在射频微波领域，国内电子13所做低噪是很牛的。可是你看
他们的产品手册，即使是2008年版本，用GaAs单片工艺，或混合集成，在C波段就没有以下
的！这怎么解释呢？
看到的国外的低噪产品也很少有低于1dB的，如下面链接
http://www.esmchina.com/ARTP_8800064478_1500.HTM
0.85dB已经号称业界最低了！

C波段的可能不多，但L波段的低于1dB还是很多的，0.4dB，0.5dB也不少。

你可以上www.minicircuits.com看看。

可是卫星高频头是在C波段啊！而且是80年代，怎么会有这个水平呢？以现在的水平，在L
波段也就是0.5dB左右罢了。我一直怀疑那个20K的定义是不是和一般理解的不一样！

13所怎么也说不上很牛吧，他家的模块电路不错，但是单片还赶不上电子55所。
如果和国外比，差距还是非常大的。

国内自己能做mmic产品只有13和55，55强在功放，低噪没有13做的好！

你说的和国外差距很大，是指低噪吗？感觉在常见频段差距不大啊。
请举个例子先

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