问一个关于HEMT晶体管的问题
12-12
就是像ATF54143之类的管子,做的LNA,发现在低温下要适当加大栅压增加漏级电流才能维持其微波特性,温度越低,需要其工作电流越大才能维持其S参数不变,能不能从管子的工作原理上解释这类现象啊,小弟一直想不通,谢谢啦
你们物理系不是有几篇低温放大器的文章吗?自己的文章都不看?
我怎么记得 HEMT的跨导是负温度系数,低温下增益和噪声性能都变好
而且低温下应该是偏置电流变大,应该降低栅级电压才对
莫非增强型的 HEMT和耗尽型的结论是反的?
汗!bon哥,我错了!今天脑子太热了,没仔细想就瞎说。
刚看到你说“低温下噪声性能”才意识到错误,因为想起见过一个超低温下(带液氮冷却装置)NF<0.1dB的卫星接收LNA,就是靠超低温工作来获得NB的NF。
HEMT的跨导确实是负温度系数,G和NF都在低温下变好。
楼主的问题,不知道是怎么回事。
电脑上的文献找了一圈,可能有用的两篇见附件。
误导大家,sorry!
transport_effect_on_low_temperature_operation_of_pHEMTs..pdf
ve_Noise_Performance_of_HEMTs_at_Decreasing_Temperatures.pdf
这几篇文章和楼主说的问题关系不大
你看到这篇没? 这个就是楼主要问
王昕,王凡,张晓平,郜龙马,魏斌,曹必松,高葆新
场效应器件低温特性与低噪声放大器 低温物理学报 2005 27(2):159-164
相关文章:
- 请问:如何导入ADS库中没有的晶体管文件?(05-08)
- 晶体管中的die area应该怎么翻译 具体指的是什么?(05-08)
- 请教一个微波、射频频段晶体管的问题 (05-08)
- 如何测试晶体管的Cgs,Cds和Rg等寄生参数?(05-08)
- 去嵌入方法测量晶体管S参数时的直流偏置问题(05-08)
- 谁用过飞思卡尔的功率晶体管(05-08)
射频专业培训教程推荐