关于CPW传输线特征阻抗的仿真
12-12
附件里面是一个很简单的CPW的结构，我按照50欧姆的特征阻抗进行了设计，然后仿真后我report看的是Zo(P1)，如附件图所示，大概是55欧姆的样子。
想问问版上各位熟悉HFSS的大牛，不知道这样仿真是否准确？
我想可以是这几方面的原因：
1）周围空气的设置是否对仿真结果有影响？我的wave port设在空气box的边界上，因为如果空气把port全部包围了，HFSS会报错说“Port refinement, process acb3d: Port "P1" is incorrectly set up. A port must have a non-existent material on one side. Both "Box1" and "Box1" exist.”
2）是否是由于结果没有收敛使得仿真精度没有达到？如果是这个原因如何设置使得HFSS能够收敛得更加精确一些呢？以前仿真的时候出现过上午和下午仿同一个结构的结果不一致的情况，不太清楚原因。。。。
3）特征阻抗的测试可以直接看report里的那个Zo(P1)吗？如果这个不是很准的话，应该如何得到特征阻抗呢？
请指教！不胜感激！
最后还有一个疑问：
当一个物体（epsilon>1）从上面逐渐靠近CPW时，由于同样体积的空气变成了介质，CPW的等效介电常数会变大，这样的话其特征阻抗是不是会变小？
不过我用HFSS仿真了几次，看report中Zo(P1)得到一个结论是：
当物体离得越远Zo越小，当物体离得越近Zo越大，这个结论与理论分析恰好相反，是不是我的仿真设置的不对或者是其他什么原因？
我觉得这个HFSS像一个迷一样，真是百思不得其解啊，希望大家指教！
想问问版上各位熟悉HFSS的大牛，不知道这样仿真是否准确？
我想可以是这几方面的原因：
1）周围空气的设置是否对仿真结果有影响？我的wave port设在空气box的边界上，因为如果空气把port全部包围了，HFSS会报错说“Port refinement, process acb3d: Port "P1" is incorrectly set up. A port must have a non-existent material on one side. Both "Box1" and "Box1" exist.”
2）是否是由于结果没有收敛使得仿真精度没有达到？如果是这个原因如何设置使得HFSS能够收敛得更加精确一些呢？以前仿真的时候出现过上午和下午仿同一个结构的结果不一致的情况，不太清楚原因。。。。
3）特征阻抗的测试可以直接看report里的那个Zo(P1)吗？如果这个不是很准的话，应该如何得到特征阻抗呢？
请指教！不胜感激！
最后还有一个疑问：
当一个物体（epsilon>1）从上面逐渐靠近CPW时，由于同样体积的空气变成了介质，CPW的等效介电常数会变大，这样的话其特征阻抗是不是会变小？
不过我用HFSS仿真了几次，看report中Zo(P1)得到一个结论是：
当物体离得越远Zo越小，当物体离得越近Zo越大，这个结论与理论分析恰好相反，是不是我的仿真设置的不对或者是其他什么原因？
我觉得这个HFSS像一个迷一样，真是百思不得其解啊，希望大家指教！
HFSS仿特征阻抗是一个老问题了
精华区有不少帖子可以参考
谢谢。
以前参考过很多次精华区，不过还是有些细节的问题不是很明白，希望能够和大家讨论一下。
激励和边界设置的问题。你把ground strip扩宽与substrate边缘对齐，air边界
恰好四周恰好包住substrate，上下有一定的高度就行。激励的port不要画那么高
还要加上积分线/校准线，这种情况下可以用不对称得slot line激励，积分线从
其中的一个ground边缘指向中心的signal strip,这种情况下特性阻抗计算要选Zpv.
太感谢了！
google能搜到 HFSS cpw port设置的教程
讲得非常详细
顺带说明了HFSS用waveport求解的过程是：
先解端口面的二维问题，再用这个二维问题的结果，去解三维问题。
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