问一个 普通导体内部的电荷分布 问题
12-12
想问问关于非理想导体内部的自由电荷对场分布的影响的问题：
大家都知道理想金属内部没有自由电荷，
这是因为，电荷密度和电场的散度成正比，
如果存在自由电荷，则电位移矢量的散度不等于0；电场不为0；因为理想金属传导率很大，会得到一个无穷大的电流密度，不可能。所以理想导体内部不存在自由电荷。
如果是非理想导体；导电率为有限值，导体内部应该还是有自由电荷的。
可不可以得到：这部分电荷对电场的影响可能可以忽略，或者sigma/w/epsilon >>1 时可以忽略 这个结论？
因为 引入位函数以后，场强可以表示为两部分 －jw A－div V。其中A 由电流分布决定，V由净电荷分布决定。w＝2 pi f。
由电场和电流的关系（本构方程），电场和电荷的关系（散度定理），加上上述关系，是不是就可以得到上述结论。
不知道大家对这个问题有研究否？或者知道那本书上有说明。
大家都知道理想金属内部没有自由电荷，
这是因为，电荷密度和电场的散度成正比，
如果存在自由电荷，则电位移矢量的散度不等于0；电场不为0；因为理想金属传导率很大，会得到一个无穷大的电流密度，不可能。所以理想导体内部不存在自由电荷。
如果是非理想导体；导电率为有限值，导体内部应该还是有自由电荷的。
可不可以得到：这部分电荷对电场的影响可能可以忽略，或者sigma/w/epsilon >>1 时可以忽略 这个结论？
因为 引入位函数以后，场强可以表示为两部分 －jw A－div V。其中A 由电流分布决定，V由净电荷分布决定。w＝2 pi f。
由电场和电流的关系（本构方程），电场和电荷的关系（散度定理），加上上述关系，是不是就可以得到上述结论。
不知道大家对这个问题有研究否？或者知道那本书上有说明。
有肯定是有的，只是很快就流动到表面去了，有个所谓迟豫时间的东西描述这个，貌似在某本电磁场的书里谈到过。
想了想，结论应该是不存在的。
对maxwell的 div×H方程求散度，左边为0；在均匀导电媒质内部可以得到
div.E=0这个结论。
再根据maxwell的div.D方程，就可以得到内部不存在净电荷这个结论。
更高深的物理现象就不用讨论了。
不知道对不对。
不过张老师的《微波与光电子...》那本书有一个公式把电流分成两个部分
J＝sigma*E+Jf
不知道这个Jf指的是哪类电流，跟 pf（电荷） 有什么关系
相关文章：
- 请教微波与导体和半导体作用的区别(05-08)
- 请问一下电小导体的尺度(05-08)
- 手机天线与电路基板或导体板间隔3mm，从哪里可以查到该数据的出(05-08)
- 救我一命：请教如何求多导体传输线的S参数(05-08)
- 在fdtd中通常不考虑导体面的厚度吗？(05-08)
- 一个器件的高频集总参数与接地导体的位置貌似有关系呀？(05-08)
射频专业培训教程推荐
