官方淘宝店 易迪拓培训 旧站入口
首页 > 微波射频 > 射频工程师交流 > EMC设计总结

EMC设计总结

05-08
关于DDR的EMC设计总结---拒绝转载
今天可能是2006年最后一天上班了(农历)。
也终于完成了一个DDR的设计,这个困惑了我几个月的问题能在06年底完成,实在是意外的收获!
简单总结一下:
在原理上
1,给足DDR 2.5V电源足够的滤波 10UF 大电容每颗RAM需要一个。
2,0.1UF与1nF电容半对半数放置。
3,REF上拉电源保证足够的滤波,容值的选择同上。并在源端串磁珠。
4,CLK 在源端串电阻,并接电容到地。若是两颗ram,CLK之间需在IC接收端并电阻(100-200),也可在此处上下拉。
5,DDR的所有的线在源端匹配(串电阻),DATA, ADDRESS,CLK,DQS,DM,CLKE,WE,CS,RAS,CAS.
6,DQS DM CLK 源端电阻必须是单颗的,不得用排阻。
7,DDR附近的走线,为了避免被串扰,中速线串电阻,低速线串磁珠滤波处理!
在 PCB layout上
1,首先看CPU他的DDR pin是否良好,大公司或者成熟的产品他的pin定义是非常合理的。我们需要他的线都能完整扇出,以保证我们的layout。
2,所有的DDR线 如果能走到全部走到内层,只留器件在表层,最好,这种情况下需要考虑打孔个数,换层不要太多。这里强调data 线,CLK线, DQS DM线。
3,每一组data线 ,DQS,DM线都必须走在一个区域,且参考相同的GND层,这些线最大可能走同一层,第三层建议走。出于空间或打孔过多的原因,可以适当放置表层。每颗RAM有两组这样的线。
4,DDR的区域必须是完整的GND平面来参考,cost down压力下,可适当考虑power,不建议这么做。
5,DQS DM CLK 走线时控制4W原则。
6,DDR高速线跨层时,在附近留GND贯穿孔。保证信号足够完好的回流。
7,DDR周边的线应尽量远离此高速区域!

先写这么多,后面发现有重要的,我再补上!其他朋友有意见的,也可以补充!
大家在谈到DDR的时候,都说按guidline来就行了,可实际的情况,并非那么简单。
IC本身可能就不成熟,造成pin定义凌乱,导致走线无法正常扇出。
空间的限制,造成区域太小,造成串扰的影响太大,最可怕的是串扰到低速线上。
cost down的压力使层数受限,EMC问题更加突出。明年尝试四层板走DDR,看看极限是什么样的。
当IC能够完整扇出的时候,对于Data线可以走表层,但clk,DQS, DM 坚决走内层!
有机会的朋友可以去尝试!

sfesfesfsefsefsfsfs

RE:VCO选用中应注意的几点问题

先顶贴赚够分再说

顶顶!

上一篇:微波PCB
下一篇:射频工程师的工作任务
Top