关于BJT与GaAs器件承受尖峰信号的能力分析

05-08

本人在实际使用中发现,在峰均比交高的情况下(6dB左右),GaAs器件更容易损坏,特别是使用在输出功率接近P-1时一般都烧.而在同样的情况下用BJT是没有问题的.
资深人士给的答复是GaAs器件承受尖峰信号的能力比BJT差.
请问哪位大侠能提供这方面的资料或解决办法,本人不胜感激.