GSM高低频小功率等级下调制谱正负800K和正负1600K超标

各位高手，现小弟遇到一个难题，
GSM高低频小功率等级下调制谱正负800K和正负1600K超标，现在发现把2G电源输入端的100pF滤波电容换成2.2uF,会有所改善，因为这颗料是0201封装，所以也不能再换更大容值。
不知道各位高手有什么更好的办法来解决这个问题，求指教啊！

1.高功率等级下是否会fail?
2.单独给PA供电是否会出现该问题?
3.是否其他频段也出现fail的问题，比如说GSM900
4.把其他好的板子上的晶体替换到fail的板子上是否有该问题?

你PA的供电电源有问题吧

1.高功率等级下不会Fail;
2.单独给PA供电还未做实验；
3.GSM850、DCS、EGSM 三个Band全部是一样的问题（没有PCS频段）；
4.基本上所有的板子都是这个问题，所以晶体还没有做对调试验

等明天单独给PA供电试试看

顶一下自己帖子，别沉了

应该是PA供电电源或电路的问题

应该是PA供电电源或供电电路的问题

一看就是供电问题。

PA单独供电 还是挂掉了。

给PA单独供电也是挂掉了

顶一个。

没人么?

顶一个

你用的应该是极化PA吧，那样的话单独供电你应该是给VBAT外接电源，VRAMP上的RC调整一下。从fail的图上来看，应该滤除800KHz的信号。这个干扰是固定功率的，当大功率发射时相对峰值功率则不会发生fail。

PA用的是RF7456H，N合一的，我把VBAT和VGSM两路全部断开，外接电源，结果是正负1000KHZ和正负1.4MHZ挂了，800K变的比较好，1.6M比较临界。VRAMP上R是1K，C是680PF，不知道大神您有什么好的建议?

你试一下把R换成2K试一下，Vramp包含了AM信息。即使GSM的调制谱通过还需要看一下EDGE的调制谱。

一直关注这个问题呢，期待大神解答，学习学习

换成2K的话没什么用处。

能否将PA的电路贴个图片上来呢?另外你单独给PA供电时的电压是多少?最后一招有没有办法给WTR单独供电?

单独给PA供电电压3.8V；
因为从WTR出来的信号测调制谱是OK的，所以是不是单独给WTR供电就不用考虑了?

mipi线上的电容调整一下看看。先将mipi电容去掉，不行的话就加大试一下。
不知道你这个mipi的速率是多少?总之我觉得这个干扰在低功率fail而大功率不会fail则跟PA固有的非线性关系不是很大，从现象上看到的应该是一个固定功率的干扰。

和PA有很大关系，建议更换PA再试一试，还有就是供电电源。

加大电源的滤波电容试试

首先可以肯定不会是MIPI干扰的，MIPI工作频率是19.2MHz。
应该是电源干扰的，要么PA电源，要么Transcivier电源，我预计是PA电源被干扰。
先在PA电源上加10uF的电容，应该可以改善很多，然后顺着PA电源Trace找到800KHz和1600KHz干扰源，解决掉干扰源这个问题也就解决了。

PA我单独供电了，没有效果；
PA电源本身就有2个10uf的滤波电容，拿掉之后反而会变好一点点。

那再看看把电容加到Transceiver的电源上。如果还是没有改善，如你所说，PA电源拿掉电容还好点，那会不会是GND有噪声，加上电容后，反而调制谱更差。再或许走线附近有大功率器件串扰到射频线上，如PMIC附近的功率电感。
以上仅仅是建议，觉得合理，可以一试。

VGSM上去掉那两个大电容，然后再把功率电感断开后给PA供电试一下

PA和Transeiver之间应该有串位，把这里断开，焊接一个cable线上去，
1.先看下Transceiver的输出是不是调制谱就超标的，顺便看下功率，感觉-34dB的时候PA都没有工作的。
2.把PA和Transeiver之间的串位，换成一个10ohm或者5ohm试试。
随便想的，大神轻拍！

这个方法试过了，不行、。

MIPI上并联330pf会有改善

呵呵，你说的第一种方法一开始就试了，从Transeiver出来调制谱是OK的；
WTR到PA之间的匹配我还没调过。

今天把几个功率电感断开，外接供电，发现不开机，不知道什么原因。

其他指标在这个低功率时有没有fail的，比如开关谱和相位误差?
从图上看到的从fail处往两边的调制谱并不理想，没有依次降低。反而也有要fail的趋势。
外接供电时有个建议哈，断开功率电感后能否直接在靠近PA处供电，比如在10UF的一个焊盘上外加电源。
能否直接测试下进入天线开关之前的调制谱?一步一步查验。

进入天线开关前的信号已经测试过，也是Fail的。
你说直接靠近PA供电是什么意思?

更换另外一个商家的PA试试，或者让PA的FAE协助解决一下。个人认为电源干扰引起的，重点调试Vramp.

1.你供电应该是断开了上面的功率电感，然后在一个焊盘上外接电源，我说的靠近PA意思是你不是VCC_GSM上有10uF的电容嘛，取掉后后在电容的焊盘上外接电源，并断开功率电感。
2.进开关之前就fail了，进PA之前是OK的，我的理解是Polar PA的PA input端口你测得的只是PM信号吧，要加上Vramp后在PA里合成GSM信号。Vramp上的电阻再加大点试一下，改为4K使得截止频率在3.5khz
3.你说的MIPI电容由33pf改为330pf时会改善但还是会fail吗?

maekyixia

调PVT 有没有作用?、?随口一说

没有PIN2PIN的PA来换。

我一直以为GSM的调制谱fail，只可以调PA与WTR之间的匹配。
不知道原来还有电源问题，不过调节PA与WTR之间的匹配，（不只是换一个电阻，）确实对调制谱有效果。

Vramp上的RC滤波正在调试；
你之前说的低功率下开关谱是否也差，前天看了一下，开关谱也很差。并且在时域上表现为中间凸起

你说的时域上表现为中间凸起，是用频谱仪看到的吗，能否方便给截个图看呢?
Vramp调整后是否有效果?

是用CMU200看的；
效果不大，有一点改善。
接下来我要调PA到WTR的匹配，把频率拉偏。如果还不行，就只能改版了。
问题是改完之后能不能好是个大问题

自己顶一个。让更多的人看到

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昨天调了PA输入匹配。没有效果

1.Vramp上的RC滤波是靠近PA放置的吗?调整后最大能改善几个dB
2.这个PA是参考设计推荐的吗?如不是，原先推荐的是哪个PA，两者的R_Vramp分别是多少?

是靠近PA放的，调整后能改善1-2dB吧；
PA是推荐料；
和海思的FAE沟通了下，他们还是建议调整TC和PA之间的匹配，明天给我找一些他们的推荐值。貌似海思的TC性能不咋地。
今天一天断网，下午才修好。

今天下午又调了PA输入匹配，感觉海思的TC很怪异。先是串5.6nH,并1.2pF,饱和功率都降了2个dB了，结果串8.2NH,并1.2PF，饱和功率居然还大了0.3dB....。

这也太敏感了吧，海思还把芯片外卖啊?

所以我在等海思给我的回复。

不知是否试过TC与PAIN之间串联电容这种方法?

一开始就是串了一个33pF电容。

昨天剪了一天的铜皮，发现把PMU部分漏出来，其他的部分用铜皮贴上，高频和低频的调制谱都可以Margin PASS

不知道还有多少人关注这个帖子，不过我会一直更新到问题解决

你的PM和射频放在一个屏蔽框里?

好贴必须顶

没有放在一个屏蔽框里

有个问题哈，你贴铜皮是把PMU整个漏出来，其他的电路贴上还是PMU的一部分漏出来，其他部分贴上?
如果是第一种情况，既然PM和射频没在一起，加屏蔽罩后压紧还是fail吗这个有点不解?
如果是后者，PMU漏出来的是哪一部分，贴上的电路又有哪些?