为什么MTK的参考设计中audio滤波电路要靠近connector摆放，而不是靠近PM

如题，为什么MTK的参考设计中audio滤波电路要靠近connector摆放，而不是靠近PMU摆放?如图所示。
按我的理解，此处的33pf应该是用来滤除RF高频noise的，包括中间串接的0R电阻，大多数情况下是贴的Bead，也是用来吸收阻断高频noise的。依我对TDD noise的理解，高频电磁波是不能直接作用到receiver的，所以很多项目遇到的电流声的问题其实是高频信号辐射到audio lines后进入到PMU内部解调发生频谱搬移，产生低频（接近audio频率）的noise，再随audio信号一起输出到负载而产生噪声。而一般audio的两条差分走线会走的比较长，按照上诉理解，应该要靠近PMU摆放才更好，MTK为何这样设计呢?还是本人哪里理解错误?

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如图。

主要是防止高频信号携带的包络，特别是TDMA noise，高频信号耦合到走线上面，高频携带的包络是在可听范围内的，所有需要靠近 Reciever端

MTK的参数设计未必是最佳的,你完全可以修改为靠近PMU,当然layout没问题且不会被RF辐射到的话,放哪都一样.

因为在靠近receiver附近的走线相对更容易被RF辐射干扰到,所以这个电容靠近receiver是有道理的.

能不能讲解下这个高频包络是怎么影响到的呢?你的意思应该是高频信号的一个大的轮廓形状，也就是你所讲的包络吧，这个包络形状的频率小，但是它本身的频率一点没变啊，说到底还是高频信号，到底是如何能让receiver发声的?

个人觉得，射频的确是高频，但这高频是以217HZ的频率辐射出来的，且有一定能量。就像很多板的天线顶针或者马达一样能发声一样。那些可没有音频电路来调制解调。

还是不太理解，对于receiver而言，你要让其发声，必须线圈上有感应电流产生，而且交变频率要在20K以内，你RF的900M高频信号辐射到REC上面本身频率并不会发生变化，也就是说产生的是900M的交变感应电流，只是这个900M的交变电流是间隔4.615ms发生一次，也就是楼上说的217hz的频率来辐射到REC上面，但是这个217hz等于只是一个开关频率而已啊。就好比你敲鼓，你用重锤去敲肯定很响，你用一坨棉花去敲肯定一声不响，即使你用217hz的频率把棉花往上敲照样不会响。是不是这个道理?

哪位大神给个更专业的解释，以解小弟心中之疑惑。

小编，声音是怎么产生的你要了解。 你可以听到1khz的方波音源的声音，217hz也是在你的听力范围内，一样听到。

看实际情况，仅此而已

声音的产生是喇叭振膜的抖动，而且抖动频率要在20k以内，喇叭振膜抖动的原因是振膜上的铜线圈有交流信号流过，在磁场中受力，因而带动振膜发声。这个理解应该没错吧?假设一下，如果PA在8个时隙内持续发射GSM900信号，就是说900M一直存在，持续辐射到喇叭，喇叭会发出声音么?900M的高频应该肯定不可能发声吧?既然不能发声，那给它个217HZ的间歇频率，它就能发声吗?应该也不能把。

900M当然发声，只是你听不到

我们这里讨论的是人耳能听到的频率，我所指的"不能发声"也就是说的不能发出人耳能听到的声音。

个人观点：
1. 无论是900M还是1800M的信号都可能耦合到音频电路中，但是这种干扰本身是听不到的。
2. GSM是按照217Hz的频率发射的，如果音频电路耦合了1中的干扰信号，而且按照217Hz的频率耦合进来，那我们就能听到217Hz的噪声，这个就是TDD的由来。
3. CDMA、3G、4G的射频信号是持续发射的，所以不会有217Hz的TDD干扰。
4. 我们只需要使用电容将900M或者1800Mhz的干扰滤掉，就应该可以解决TDD问题，当然前提是你的干扰是由加滤波电容的线路耦合进来。这就是滤波电容一般为18pF或者33pF或者其它值的原因。

看到很多回帖，没看懂LZ的问题，我试着回答一下
1.确实是900/1800频段的电磁波到PMU经过二极管峰值包络检波法解调出217HZ（MOS 结构可以等效成二极管+电容），随Audio信号输出到RCV，被听到TDMA。
2.至于滤除高频的电容和bead从滤波效果来看，靠近RCV滤除的效果最好。试想：一个高频电磁波从RCV进来之后，肯定是沿阻抗最小的地方走，也就是沿着电容下地。（ESD只有400MHz左右，我曾经遇到TVS管靠近SPK就好，靠近AMP就不行的案例）假如放到PMU附近，可能
阻抗连续起的作用更大吧，也就是说直接进入PMU，而没有从PMU附近的电容下地。
3.对于6层以上的板子，RCV的Audio线一般走差分，走内层，很少受到干扰，所以从在走线不受干扰的前提下，靠近PMU和RCV是一样的，
但是从滤除效果来看，靠近RCV比较好。
4.对于4层板子因为没有主地，电磁波可以从表层辐射到内层的走线，所以上下包地也会受到干扰，前面滤除，后面又被干扰了，根据实际情况，有时候靠近PMU效果最好。

你的中心思想其实还是说因为高频信号是以217hz的频率耦合进来的，所以声音产生了。这个理论猛一看似乎是合理的。因为217hz在人耳听觉范围内，但是，喇叭真的是因为这个原因而以217hz在振动吗?
首先，我们知道，喇叭的铜线圈在1/8时隙，即577us时间内是以900M/1800M的高频率在上下振动，之所以会上下振动是因为流过的是交变电流，使得振膜的移动方向在来回发生变化，从而产生声波，这一点应该认同吧?只是这个振动频率太高，超出人耳感知范围。
那么，如果产生了人耳能感知到的声音，这个振膜必定在以声音的频率在来回振动，也就是铜线圈上的电流在以20k以内的频率，在发生方向的变化，即20k内的交变信号。敢问，你的217hz是交变信号的频率吗?它只是发射/停止这么一个开关的动作，这就是我纠结的原因。不知道现在有没有表达清楚我的意思。

以前在别的资料上看到过是因为被非线性器件解调了，产生了低频及其谐波作用到了负载，之前理解的也不深。也一直以为是这个原因导致了噪声。所以对mtk的参考设计不理解。我觉得既然GSM不能直接作用到负载的话，为了防止其被非线性器件解调，只要在PMU端阻断就可以了。其实现在的项目很少遇到这样的问题了，差分加EMI都做的很好，以前的mtk的功能机平台经常遇到。

是啊，现在都4G时代了，TDMA已经很简单了，只是看到好多回帖发现很多人竟然对这个不太清楚。
你的问题其实就是MTK参考设计是基于滤波效果来考虑的，默认RCV走线不再受高频影响了。

学习下