QUALCOMM RF duplexer isolation問題

Qualcomm定義duplexer TRX isolation幾乎都需要>50~55dB
想請問有高手知道是如何得出這個isolation的嗎?
小弟目前認為是PA RX band noise 約為-130dBm/Hz
若需低於noise floor -174dBm/Hz尚須44dB
但離50~55好像還有段距離
想請高手幫忙解惑

隔离度可以直接用网分测吧

可以直接測沒錯
我的疑惑是為何SPEC會訂在50~55dB
而不是訂40dB?
大家有想過這個問題嗎?

按你的思路，transceiver的rx band noise在-150dbm/hz左右，pa的gain在30db左右，pa输出的rx noise就在-120dbm/hz左右，距离-174还有50多db呢

樓上我覺得你是對的

带宽没算啊

加上logb会抬升的。

樓上我覺得你是對的

占个坑等我来解答

双工器隔离度主要是还要考量TX信号IM2对RX的影响，而不单是T in R的影响。

忍不住，说几句：
1)qualcomm的Transceiver Tx output noise floor at Rx band应该可以做到-155dBm/Hz to -160dBm/Hz吧?
2)加上PA的增益， PA out的noise floor差不多应该可以跟PA自己的noise floor差不多，也就是~-130dBm/Hz
3)假如duplexer能提供50dB的isolation，那么到Rx port的noise为-180dBm/Hz，低于热噪声6dB, 对灵敏度影响只有0.3几dB，还不错了。假如isolation只有40几dB，然后到Rx port的noise 只能到-174dBm/Hz，那灵敏度会恶化1.xdB，这肯定不行。
4）考虑worst case, 再留几dB的margin
5)这是isolation at Rx band的spec, 除此之外，还要考虑Tx band的isolation，这个月要求更高，否则影响IM2，然后一样的，导致灵敏度恶化，还要考虑IM3,影响STD，IMD性能........

大概计算一下rx band的noise
1.如果transceiver增益为1，rx band noise=-160dbm/hz, transceiver引入噪声=-160dbm/hz-（-174dbm/hz）大约=-160dbm/hz
pa增益30db, rx band noise=-130dbm, pa引入噪声大约-130dbm/hz
2. 那么，RX band的热噪声-174dbm/hz进入transceiver-pa-duplexer后，rx band的噪声大约=(-160+30-isolation)+(-130-isolation)-174
如果isolation=50db, noise=-172.2dbm/hz,信噪比降低1.8db; 如果isolation=55db, noise=-173.4dbm/hz，信噪比降低0.6db.

双工器的隔离度主要考虑TX IM2对RX port的影响，T in R noise只是一部分。

小编问的是定量问题，IMD2不好定量去计算desense.
另外，一些独立LNA的spec上会推荐input power小于-20dbm, pa的输出(如果后面插损较大在5db左右)会在29、30dbm左右，所以isolation最好大于50db，保证input小于-20。如果定性的看，除了IMD等，还会导致lna工作电流增大，nf也会增大，前级增益下降(链路nf增大)，灵敏度随之恶化等。

。

感謝樓上各位高手回答