如何防止可控硅的误导通和击穿
05-08
如何防止可控硅的误导通和击穿
晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中,常在其两端
并联RC 串联网络,该网络常称为RC 阻容吸收电路。晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数-断态电压临界上升率dlv/dlt。它表
明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下,使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的最低
电压上升率。若电压上升率过大,超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值,则会在无门
极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压,也可
能发生这种情况。因为晶闸管(可控硅)可以看作是由三个PN 结组成。
在晶闸管(可控硅)处于阻断状态下,因各层相距很近,其J2结结面相当于一个电容 C0。当晶闸管(可控硅)阳极电压变化时,便会有充电电流流过电容C0,并通过J3结,这
个电流起了门极触发电流作用。
如果晶闸管(可控硅)在关断时,阳极电压上升速度太快,
则C0的充电电流越大,就有可能造成门极在没有触发信号的情况下,晶闸管(可控硅)误导
通现象,即常说的硬开通,这是不允许的。因此,对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上
升率应有一定的**。
为了**电路电压上升率过大,确保晶闸管(可控硅)安全运行,常在晶闸管(可控硅) 两端并联RC 阻容吸收网络,利用电容两端电压不能突变的特性来**电压上升率。
因为电
路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感),所以与电容C 串联电阻R 可起阻尼作用,它可以防止R、L、C 电路在过渡过程中,因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管(可控
硅)。同时,
避免电容器通过晶闸管(可控硅)放电电流过大,造成过电流而损坏晶闸管(可控硅)。
由于晶闸管(可控硅)过流过压能力很差,如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作
的。RC 阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。
来源:中国电力电子产业网http://www.p-e-china.com/
晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中,常在其两端
并联RC 串联网络,该网络常称为RC 阻容吸收电路。晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数-断态电压临界上升率dlv/dlt。它表
明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下,使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的最低
电压上升率。若电压上升率过大,超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值,则会在无门
极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压,也可
能发生这种情况。因为晶闸管(可控硅)可以看作是由三个PN 结组成。
在晶闸管(可控硅)处于阻断状态下,因各层相距很近,其J2结结面相当于一个电容 C0。当晶闸管(可控硅)阳极电压变化时,便会有充电电流流过电容C0,并通过J3结,这
个电流起了门极触发电流作用。
如果晶闸管(可控硅)在关断时,阳极电压上升速度太快,
则C0的充电电流越大,就有可能造成门极在没有触发信号的情况下,晶闸管(可控硅)误导
通现象,即常说的硬开通,这是不允许的。因此,对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上
升率应有一定的**。
为了**电路电压上升率过大,确保晶闸管(可控硅)安全运行,常在晶闸管(可控硅) 两端并联RC 阻容吸收网络,利用电容两端电压不能突变的特性来**电压上升率。
因为电
路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感),所以与电容C 串联电阻R 可起阻尼作用,它可以防止R、L、C 电路在过渡过程中,因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管(可控
硅)。同时,
避免电容器通过晶闸管(可控硅)放电电流过大,造成过电流而损坏晶闸管(可控硅)。
由于晶闸管(可控硅)过流过压能力很差,如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作
的。RC 阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。
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