NPN三极管饱和问题
05-08
MTK平台脉冲充电电路,其中用了一个N沟道的CMOS管和NPN三极管,进入恒流充电阶段,量到 Ve = 4.9,Vb = 3.0,Vc = 4.0。按照之间书上的理解,三极管在工作在放大状态是发射结正偏,集电结反偏。我认为应该是处于饱和状态,也就是集电结、发射结都正偏,但是这样理解就解释不通,处于饱和状态电流 Ic 就不止受基极电流影响了。
下图是NPN三极管的一些参数,Vce(sat)是不是代表 Vce大于这个值就是进入放大状态?
下图是NPN三极管的一些参数,Vce(sat)是不是代表 Vce大于这个值就是进入放大状态?
图在哪里?
我又重新开了贴,附上图,这个贴不知道怎么删除。
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