求教晶振CL值如何选择

如题，晶振的CL值如何选择，我看我们有些项目的晶振是6.6PF，有的是7.5PF，这些选择的原则是什么，另外还有问题：设计charger时，是否考虑了充电器在充电开始时由于阻抗跳变导致的电压Drop?应该保证芯片的低电压关断电压小于电压Drop最大程度后的值.这段话要怎么理解！

楼上正解

选择的原则基本上是
(c1+c2)/2+杂散电容 如果布局够近没有过孔 杂散大概可直接加0.5 。
电压Drop
瞬态电压拉低 ，应该保证芯片的低电压关断电压小于瞬态电压拉低的值。

人呢，怎么没有人回答我的问题嘞，是太简单了还是……

晶振的CL值如何选择，我看我们有些项目的晶振是6.6PF，有的是7.5PF，这些选择的原则是什么?
CL 的选择会影响到电路起振能力及频率的精确度，而这两个条件是和芯片本身的设计及外挂的电容有绝对的相关。以上例 CL 6.6pF 和 7.5pF 是非常相近的，个人经验不会对起振有影响，但可能会的频率影响数个 ppm 。但这个误差可以透过外挂电容值调校。必竟 6.6pF 这么奇怪的CL值的电容应该很少用，买了还可能会变更呆料，到不如统一用 7.5pF。
Jerry Kuo