关于MTK平台充电电路上PMOS管压降的计算
同样的充电电流比如450mA,电池电压不同时在PMOS管上的压降就不同,电池电压小时,PMOS管上压降就大,电池电压大时PMOS管的压降就小,此时如果用PMOS管上D、S的压降处于充电电流的话,算出来的电阻是变化的,此时PMOS管可以理解为一个可变电阻了,多余的压降就耗在了PMOS管的导通电阻上。
PMOS管datasheet 上表明的导通电阻都是在特定条件下的值,比如我们用的PMOS管是这样标注的:0.11欧@Vgs=-4.5V,Id=-3.6A。可实际的Vgs不等于-4.5V,电流也不等于-3.6A。这样它给的电阻就无法用于理论计算,而如果通过实际测试呢,每一台机子的状态又不完全相同。
如何确定PMOS管的最大压降呢?
表达能力不好,不知道我说的问题大家看懂没有!
谢谢!
就是充电器电压减去电池电压了,都是限流的,因此不可能拉低充电器的电压
跟进学习。呵呵。字多了,看了晕乎。
这个好像没有多大意义吧,什么时候进入恒压模式和你设定的充电电流大小有关,不管恒压还是恒流模式,都在充电,电池电压都在上升,所以设计时只要计算截至充电这个临界状态就可以了,而且你这个算法也是有问题的,电池有内阻,在电流这么大的情况下压降比较明显,你所说的恒压恒流转换时刻的电池电压不是电池的开路电压,所以没有意义
到现在发现,其实MTK的东西呀,很多人只知道用,当然MTK推荐的东西也是没有问题的,只是很多人知其然知其所以然。不过我们用好了也不错!
晕了,没看懂。
0.11欧@Vgs=-4.5V,Id=-3.6A。一般可以理解为MOSFET完全饱和导通时的电阻值,即用作开关电路时的电阻值。而在充电电路中,MOSFET并不是工作在饱和导通状态,而是工作在可变电阻区。
可以看一下SEPC中的VDS与ID的那张图,比如说VGS=-1.5V时,当VDS从-1.8V到-0.8V这段区间内,ID几乎没变(即充电恒流),那么MOSFET的等效阻抗VDS/ID,一直在减小,即MOSFET导通电阻是可变的。
要PMOS管的最大压降只需要考虑充电的极限状态,假设充电器为5V,二极管压降为VD,那么PMOS的VDS=5-VD-VBAT,VBAT电压小时,VDS必然就大了。
我倒是觉得计算PMOS的最大压降没有太多意义,有意义的是PMOS的最大功耗ID*VDS。最大功耗发生在ID最大,VDS最大的时刻,即VBAT=3.2V,PMU刚刚转入恒流的那一刻。 当然这还没考虑MTK软件恒流充电时会有一个开关断周期,这些也算上,就更复杂了,不多说了。
如果不考虑充电器功耗问题,则不可以过分关注PMOSFET开关损耗和导通损耗。当然如果需要考虑PMOSFET 损耗(例如目前比较常见的移动电池给手机充电), 则比较复杂。从PMOSFET选型参数看,我们额外关注参数涉及到Qg等。
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