手机上的功耗一般是多少？

[此贴子已经被kingrain于2005-7-21 15:51:40编辑过]

一般的GSM平均待机电流为8mA左右！PHS 平均待机电流1.2mA(烧号）1.5mA（PIM CARD) 左右！

不好意思寫錯了1GSM一般為4mA！

靠 ， 4mA的东西能叫设计么?我服了！别人外国人现在做到1mA以下了，就是这两个毫安就是难以逾越的鸿沟呀， 很多人觉得硬件没有什么做的，其实真正需要做的地方都是别人做好的！

待机电流要看你怎么定义，平均时间大概多长，还与用了哪些芯片都有关系，单纯比数据没有意义的。1mA以下太难了，现在一般平台本身的待机电流最小差不多快1mA了。

如果做到1mA的话，手机的待机时间也不会如此短了！而且伲说的1mA是平均待机电流，还是底电流啊?

这个我觉得你说的不太对。如果是GSM手机的话，测手机待机电流，要选Page rate的，如果是page rate为2的话，一般现在手机(ARM7+DSP+LCD+Camera IC，非philip平台)待机电流能做到4mA已经很不错了。就是philip的手机我测过也要有大概3mA。这样一颗800mAH的电池也可以待机将近大约300个小时
但也不排除你说的待机电流单单指DC部分的电流，这个没错，一般都在1mA左右，做到1mA以下也不是什么难事，当然要调试，我曾经做个一个项目，从最初2mA降到0.7mA。

谢谢RFfans的指教。ARM7+DSP+LCD+Camera IC ，对于ARM+DSP的耗电我不是很清楚，但是Camera IC睡眠的时候漏电流很小的，基本上在uA级的，LCD厂家有的做的好的睡眠时候电流几十个uA，差的确实有1mA的，所以说要做到1mA确实不容易呀，不管是基带部分，射频也需要极小的耗电。xuguojin 我说的1mA是指的实网平均电流，底电流在1mA以下吧，这是外国人做出来的，这款手机在650mA的锂电池下一般正常使用4天到一周左右（有一个30万的COMS摄像头）。我用一个手机实际测试（移动卡），500mA的电池，待机125小时，这是我们自己做的，所以有差距 ：）测试是在开机后一段时间手机进入睡眠时开始的，测试时间20分钟 或者可以更长些（移动卡实网测试，一般联通卡的待机电流测试出来会比移动卡大一点）。

刚才又查了一下，我上面说的实网平均待机电流应该是1,2mA左右，不是正好1mA ; 底电流（DC电流）是0。6mA.可惜这个不是我们自己做的，是人家老外做的。RFfans 你能自己调到0.7，小弟佩服！ 我们自己做的基本上都在1到1。5左右

觉得大家讨论的都不错啊！平台和外围电路选的不同电流还是有差异的！而且双模待机电流又和单模的不一样了！所以各种情况都不一样！具体情况具体分析！：）

待机电流1.2mA，那待机时间多少?什么平台阿，太牛了

我们用philps平台最小电流大概在0.4-0.6mA待机电流PAGE9一般小于1.5mA

那么小啊！还真难做到.LCD,CAMERA,CPU,RF,可能还有FPGA,能做到1ma左右那真是厉害！我没有做过,只是感觉这太厉害了.呵呵

长见识啊，我们这里做不到那么低。

经常可以遇到谷底电流大家做到1MA下的呀，但是超过1.5MA应该就有问题了吧。其实影响待机时间的还有一个因素，就是峰值电流大小，和底峰之间转换的频率呀。瞬间回流一般都会到100MA以上吧。

各个公司都有一定的标准,我这边提供一家公司的批量实验标准,使用中国移动测试卡网络(连通网络较差,会增加1.5MA左右)待机电流:小于2.6MA关机电流:小于0.1MALCD等亮:小于120MA通话状态下(与综测仪通讯)GSM 最大电流:小于250MADCS最大电流:小于200MA仅供参考！

用移动或联通来测试网络似乎不太准确吧。通常我们都用CMU连接用软件采样测试待机电流。不同得PAGING MODE结果相差很大的，我印象中中国移动是PAGING 2的，联通似乎是PAGING 7的，可以用示波器抓RF的电源开关时间间隔就可以知道

SNOW-SNOW你们paging 9的待机电流可以到1.5mA,确实很强阿，有空交流一下?偶现在正准备做PS的平台。你说的1.5mA的情况包括LCD时间条显示等功能吗?还是仅仅只是待机?to willis斑竹，我以前的一个项目测过，会超过100mA,不过大部分都低于100mA，和RF的性能和校准有些关系，另外和CMU的设置也有一点联系，如果把BCCH level变成－60dBm或更大，电流会变小

Ak47说的对，待机电流如果是公网测试的话，不同条件下会相差很大的。还是通过综测仪测不同的page rate下的来调

philips平台的待机电流小在业界是出名的吧，它不是出了一款待机王，可以带15天左右吗而其他厂家的手机待机电流普遍比较大，包括国内国外的比如nokia8250待机电流在3.5mA左右，bird的反而好一些在3mA左右所以大家也不要一味的说洋货好，毕竟中国也在慢慢发展自己的产业啊我想中国企业有了一定的实力，也会做出出色的产品来吧

大家在这里讨论时都涉及到page rate，什么PR2，PR9能不能介绍介绍这个概念的含义，这个东西为什么会引起电流的差别啊更好的是能介绍点资料先谢谢了建议搂主为提供资料者加分

中国移动是PAGING 2的，联通似乎是PAGING 7的这个说法，是不是说在实际网络中跟同样的手机用联通卡会比用移动卡省电吗?因为用仪器测试的时候PAGING 2的搜网频率要高，积分电流要比PAGING 9大。是这样的吗?期待答复。

philips平台的待机功耗还不错。我们这一般做到&lt;3mA.-----------------------------------------<font color=red>-，RD币</font>

应该是倒过来，联通的搜网频率比移动的高。

楼上说的也对，所以我对中国移动是Paging 2，联通是Paging 7有点怀疑，因为用仪器测的情况是Paging 2的搜网频率高，那么相应的待机电流应该大才对，可实际上是中国移动的卡的待机电流比联通卡的待机电流小，所以很奇怪，不知道是不是还有别的原因。

把我 的实际测试情况跟大家汇报一下，
联通卡的搜网间隔是470ms，待机电流积分是5.5mA，
移动卡的搜网间隔是1.89秒，待机电流积分是2.6mA。
由实际测试结果推断联通是paging 2，移动是paging 9
<P align=right>+5 RD币

我们平台的整机（插入移动SIM卡）待机电流一般都在3mA以下，其实待机电流的高低虽说跟硬件的的漏电流有一定的关系，但是用此芯片的设计公司并非你一家，一般都有很多设计公司用同样的平台，但是大家设计出来的差异很大，主要是由于待机电流跟待机时的软件运行状况状况有很大关系，对于一些没用的功能都尽可能的关掉，假如CAMERA，一般我们开机也不初始话，只是在拍摄时才给他提供时钟等等，这样可以在很大程度上降低待机电流！
愿国产手机扳回劣势，国人仍需努力啊

我看大家都在这么测，但是我不知大家这么测的依据时什么，是否有相关的国家参考标准等等，因为个人觉得，无论我们做什么测试，最好有根据可以，那么这样做才有实际意思，大家说，是吗?请赐教！

待机电流和平台有很大关系，现在国内的设计大多采用的是国外的参考设计，然后自己再更改或添加一些外设（例如Camera、Mpeg4等）。所以在调试整机的待机电流时需要首先知道参考设计的最低待机电流和平均（Page 周期为9）待机电流，这是调试的基础，否则会没有目标。然后需要先调试主板的最低待机电流（先不要带LCD），如果能够接近参考设计那就很完美了，个人认为应当是参考设计的最低电流加上外设的Standy leak current。剩下的就是平均待机电流了，同样要和参考设计比较，如果偏大，那可能就要查一下射频部分了。最后讲一句，个人认为，最低待机电流（不含LCD）应当在1mA以下，平均电流与射频和协议栈有很大关系，不好统一定标准，但是按照750mAh的锂电/四天待机时间来算，应当不要超过7mA。

不知道你说的依据，指的是什么，按我的理解是，大家得出的数据基本是参照同一个标准的，我这里说的同一个标准就是我们用8960等仪器时候设的PR值。如果测试时候没有注意到这个值，那么很有可能参照物不同，就没有比较的价值了。

不知道你所说的同一标准具体是指哪个，是根据所作的测试（如FTA,CTA），还有你所说的用8960等仪器时候设的PR值，请赐教！

黑白机一般3ma以下，彩屏机4－5个ma

TI平台的整机（彩屏、和弦、Camera，移动卡开环测试）待机电流一般为多少呀?

我想并不一定是像大家说得联通为PR2，移动为PR9；我认为只能确定移动的PR值要一定比联通的要大，因为在不同的小区好像PR值不一定一样。个人的理解，不知道对不对，还请各位点评。

一般国产手机能做到3mA以下已经是不错的了,也许基底电流会低于1mA,待机1mA很有难度了！

CDMA手机的待机电流是2mA,通话电流是&lt;330mA,开机瞬时电流为&lt;140mA,充电电流为&lt;1A,关机电流&lt;1mA,唤醒电流&lt;100mA.

楼上所列数据的为您所设计手机的测得数据还是目前行业做得最好的情况还是什么标准上定的?待机做到2ma，非常佩服！

3mA以下待机电流的彩屏手机我现在好象还没碰到过，上次测试过samsung的E348，CMU200参数BS-PA-MFRMS设置为2，平均待机电流为4.12mA（15分钟），跟我们自己做的手机差不多呀！原来用MOTO平台最小待机能做到1.1mA，使用agere平台能做到0.8mA，不过上次看到AUX有一款滑盖机竟能做到0.6mA，强地！

这标准也忒宽了吧，1mA的关机电流，这手机还能用吗?

如果瞬间最大通话电流能做到330mA以下那是比较厉害地！我们最大的通话电流会超过1.5A，不知该如何把它降下来?

搞错了吧，1.0mA左右是静态待机电流，主要被LCM耗掉。3.0-4.0mA指的是平均待机电流包括静态和GSM搜网等复杂的工作。而且待机时间并不是1.0mA左右是的静态待机电流所决定的，是后者。

1.0mA的电流被LMC耗掉，有点大了吧。直接影响待机时间。几十uA还比较合理。

我们的手机目前做到待机最小电流是1.2ｍａ，最大是6.3ｍａ，平均电流在3.7ｍａ左右。所为ｌｃｍ耗电，我们全部关掉。所以为０。ｓｕｎｐｌｕｓ　554　ｍｅｄｉａ　ｉｃ耗电为500ｕａ。基本是这样了。

这个指标我见过很多公司的生产线上用的，其实是为了方便，不是个很实际的数字，一般如果超过1mA说明这个手机肯定是有问题的。

330mA应该是平均发射电流吧，瞬间电流最大功率级时肯定是会超过1A的，除非用超大的电容，现在的手机方案好像都不这么用了吧。

主要是手机唤醒的时间，不同平台差别很大

一般公司的标准关机电流是0.1mA以下，偶们有一款手机（包含钮电充电电流）关机电流为0.2mA，判定为不合格哦！
手机通话电流根据网络信号的不同，平均电流在80mA~250mA之间吧！

我们做的手机一般0.8MA左右

待机电流（standby current)要看平均值，最小值其实是底电流（静态最小待机电流），也就是GSM/DCS搜网空闲时候的电流，所以最小值基本不作为评判标准
通常我之前做的机型试验数据是平均待机电流&lt;8mA(这个是平台供应商制定数据,可见那个平台比较不省电）
这样，750mAh的电池待机时间是750/8=94h,大约4天的样子。而国产机也大多在4~5天的待机时间。
待机电流能做到1mA的只有PHILIPS原厂设计，国内用他平台的也不见的省电，能做到&lt;4mA已经是功力不错了
影响待机供耗的因素有很多，平台是不可突破的，只有在软件上把CPU进入SLEEP前DISABLE周边的器件，这个只能做到降低待机的最小电流（即底电流）
而平均电流的降低与RF有关，好的天线耦合可以提升发射效率，良好的PCB走线可以降低RF发射线损，提升效率

不同的平台待机电流就不同,比如PHILIP平台的待机电流就很小,我们现在用的是TI平台的,平均待机电流可以做到3mA,外围电路其实对待机电流没什么影响,因为进入deepsleep模式时,外围电路是应该进入POWER DOWN模式的,这个模式一般外围电路的露电流就很小了,uA级的.

我们也用TI的calpso，现在平均在8mA，兄弟有何高招啊?

GSM手机的待机平均电流一般在3~4mA左右,在page rate = 5philip 的平台待机电流大概1mA多一点,现在我们有做一个项目,底电流在0.5mA左右,在page rate=2 时,平均待机电流为3.2mA左右.

关机电流要小于100uA吧,我有做过40多uA的

我用MTK平台方案设计待机电流现在是1.3MA，经软件优化后可达1MA以下

大家都忽略了一个重要的事实，就是通话电流。最小待机电流和平均待机电流不难调试，把所有的模块关掉就是，增加Deep Sleep 的时间，但把模块关掉后基带部分是否能及时唤醒改模块有待商榷，另外通话的电流在是真正影响使用时间的关键参数，一般通话电流会在100～300mA，只要通话2分钟，就把平时节省的电全都消耗了， 因此射频部分的好坏才是影响手机使用的真正关键！ 不是什么平均待机电流和最小的待机电流。

TI 的电源管理软件做得极差，目前没有办法。

长知识了

TI CALYPSO的协议栈会每隔30S搜索一次SIM是否在位,消耗电流大约在15mA,其实这个功能一般没什么太大作用,可以把这个搜索时间增加,来减小待机电流.另外,把TRACE关掉也可以减小点待机电流.

需要积累。偶那PHS 待机电流肯定可以做到1MA以下。

待机电流像飞利浦的平台大多能做到1.4左右，关键的是通话电流和运行程序时的功耗如何控制，像现在的pda类手机，点亮个屏就得200MA，那待机电流再小也没用，看两下时间就没电了。呵呵。