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电压经过mos管后为什么纹波增大?

05-08
有个项目,输入电压在MOS管的前端测得的纹波大概是200mv,经过MOS管后增大为340mv,请问这是什么引起的?
用的是P沟道增强型MOS管。
另请教,评估一个MOS管的性能如要看哪些参数?
不胜感激!

MOS管目前在手机电路中多作为点评开关来使用,我们一般关注的参数有:
1:开启电压VGS,导通电压先考虑,要选择与我们平台输出电压想吻合的管子
2:导通阻抗Rds,MOS管一般都很小,大致看下,管子导通后VDS压降不能太大(一般都是mV级别)
3:漏源击穿电压VDS:稍微关注下
4:温度系数
5:节点电容:Cgs MOS管作为开关,用PWM控制的时候,Cgs在不停的充电放点,电容太大会产生很大的EMI,一般在G极上加10ohm左右电阻来限制充电。
手机里一般MOS作为开关,理论上只是电平转换,不会有额外产生纹波大的问题吧?太大那就加电容滤波吧,,
PS:小编你是神马项目?是手机么?这200MV的纹波也太大了吧

饱和区的MOS管具有增益。纹波类似小信号了吧。

别沉啊,大家帮忙看看

看看大牛怎么回答

很简单的问题啊,|GS|电压不够大,使工作点在临界饱和区(甚至线性区),使得管压降有明显变化,当然纹波就变大了。
所以,加大|GS|电压就好了(如果Gate已经接地,那就弄个负电源吧或者换个驱动能力强一点的管子吧)[/COLOR]

应该是UGS的问题,这个电压决定了MOS管的工作区域,只有UGS足够大让MOS管工作在饱和区,才能保证稳定的电压输出,如楼上所说,增大G端电压或者S端的负电压,如果还不行,那就是管子本身的驱动能力不行,换驱动电流更大的管子吧

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