burst memory 和page memory 的区别

52RD的论坛里有这方面的帖子。 我不记得是怎么说的了
反正是主要区别在预缓存的模式。 就是说一块数据被读取时，系统会把这块数据所在的页上的数据多读一部分到缓存区，下次再读到这页的时候可能就直接读缓存而不用到Memery的页上去读了。 Page模式和Burst模式具体都是怎么做的就不知道了。 似乎burst模式灵活一点。

基带设计需要这么深入吗?

burst读取速度会相对快一些

burst需要clock同步,page的不需要.

顶，学习了

下一个flash的datasheet，详细了解了解。

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Burst 需要clock时钟，是同步模式，
PAGE 不需要时钟，是异步模式。
比如SDRAM 就有Bust mode

那异步模式就只有PAGE mode吗，还有一种常规模式属于哪种啊?