128M+32M内存的计算?
采用ADMUX的内存,复用低8位数据线,刚好是9+8=17根,寻址128M,这样理解吗?
还有关于NAND flash数据线复用,如果采用的16bit的data,只有低8bit的data可以作为地址位来寻址。
RAM的寻找有3个,行寻址,列寻址,还有block寻址。一个32M完整的RAM芯片中可能会分为几个logic bank(具体数量得看flash的规格)。每次进行数据读写的话,首先寻址的就是这些logic bank,可以注意到FLASH一般有2个BA0和BA1信号,其实它也是用的EA信号,仍后就是对一个logic bank进行行寻址和列寻址,因为RAM的行和列的地址共用,所以对行和列寻址在时序上有个时间差,一般先对行寻址,过几个间隙(datasheet中会有描述这个时间)后才对列寻址,其实相当于有18bit的地址线。这就相当于在某本书找字,你先把第几页找到,仍后再在找这页的行,接着找列。数据时以字节存储的,也就是8bit。假如flash 的L-BANK是4个的话,那么9bit的地址线应该可以最大可以寻址8*4*256K(2的18次方),这个值为8M。不知道小编的硬件线路用的是9位,我看到大多数手机用的都是13位,最大可以寻址1Ghz。还有小编2的9次方应该是512bit的吧,不是512Kbit。
前面的0~15的地址线应该是跟数据线复用的吧,总共的地址线还是0~24啊
大虾们呢
ADMUX flash算法:数据线16根,地址线的数量N,NOR的容量即为2的(16+N)次方*16bit,那么128Mb=2的23次方*16bit;虽然原理图上接了EA24,那只是说最高支持到的flash容量而已。
另外小编,请问一下2的9次方等于512K?2的17次方等于128M?
地址线怎么会从16开始?
不怎么懂,求高手指教~
4楼说的L-BANK有4个,应该这4个地址也是不一样的吧,也是根据地址线来的,不能说有4个L-BANK就要X4吧?我也搞不清楚,我说的是手机上,一般地址线都要二十几根的,数据线一般16位。说的可能不对,还请见谅。
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进来学习一下
麻烦,一般都是说128Mbit==云云
128Mb+32Mb
也就是16MB+4MB
前者的b指bit,后者的B指Byte。
1Byte=8Bit
学习了,谢谢!, 学习了,谢谢!
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